[发明专利]半导体结构的制作方法及半导体结构

权利要求书

1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，所述半导体结构的制作方法包括：

提供基底；

于所述基底上形成多个有源柱，多个所述有源柱阵列排布，沿第一方向，所述有源柱包括顺序连接的第一段、第二段和第三段，沿第二方向，所述第二段的横截面面积小于所述第一段和所述第三段的横截面面积；

于所述第二段的侧壁、所述第一段的顶面和所述第三段的底面上形成栅氧化层；

于所述栅氧化层上形成栅介质层，沿第一方向，所述栅介质层的长度小于所述栅氧化层的长度，其中，所述栅介质层靠近所述第三段设置。

2.根据权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述于所述基底上形成多个有源柱，包括：

于所述基底内形成多个位线隔离结构，多个所述位线隔离结构沿第二方向间隔设置，相邻的所述位线隔离结构之间的所述基底形成条状体；

对所述条状体进行处理，形成硅柱结构，沿第一方向，所述硅柱结构包括第一部分、第二部分和第三部分；

于所述基底内形成多个字线隔离结构，多个所述字线隔离结构沿第三方向间隔设置，所述第二方向与所述第三方向在同一水平面上相交，其中，相邻的所述位线隔离结构与相邻的所述字线隔离结构的之间的所述硅柱结构形成硅柱；

对所述硅柱的所述第二部分进行预设处理，形成所述有源柱。

3.根据权利要求2所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述于所述基底内形成多个位线隔离结构，多个所述位线隔离结构沿第二方向间隔设置，包括：

于所述基底内形成多个沿第二方向间隔设置的位线沟槽；

于所述位线沟槽内形成位线隔离结构。

4.根据权利要求3所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述于所述基底内形成多个字线隔离结构，多个所述字线隔离结构沿第三方向间隔设置，包括：

于所述基底内形成多个沿第三方向间隔设置的字线沟槽，其中，沿第一方向，所述字线沟槽的深度小于所述位线沟槽的深度；

于所述字线沟槽的两侧壁上分别形成第一初始隔离层，所述第一初始隔离层延伸至所述字线沟槽外，并覆盖于所述硅柱的顶面上，两个所述第一初始隔离层之间形成第一沟槽；

于所述第一沟槽内形成初始字线隔离结构，所述初始字线隔离结构的顶面与所述第一初始隔离层的顶面平齐；

去除部分所述第一初始隔离层和部分所述初始字线隔离结构，保留位于所述字线沟槽的两侧壁上的第一初始隔离层，保留位于所述第一沟槽内的初始字线隔离结构，被保留下来的所述第一初始隔离层构成第一隔离层，被保留下来的所述初始字线隔离结构构成字线隔离结构。

5.根据权利要求4所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述半导体结构的制作方法还包括：

于所述第一沟槽的底部形成位线，所述位线为多个，多个所述位线沿所述第三方向间隔设置。

6.根据权利要求4所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述半导体结构的制作方法还包括：

形成支撑结构，所述支撑结构覆盖所述字线隔离结构的两侧以及所述第三部分的沿第三方向的两侧壁。

7.根据权利要求6所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述形成支撑结构，包括：

去除部分所述第一隔离层和部分所述位线隔离结构，暴露部分所述字线隔离结构和部分所述硅柱，其中，所述字线隔离结构和所述硅柱之间形成第一填充区，沿第三方向，相邻的所述第三段之间的间隙形成第二填充区；

于所述第一填充区内以及所述第二填充区的侧壁上形成支撑结构。