[发明专利]半导体结构的制作方法及半导体结构

说明书

本公开提供了一种半导体结构的制作方法及半导体结构，涉及半导体技术领域。该半导体结构的制作方法包括：提供基底；于基底上形成阵列排布的多个有源柱，有源柱包括顺序连接的第一段、第二段和第三段，沿第二方向，第二段的横截面面积小于第一段和第三段的横截面面积；于第二段的侧壁、第一段的顶面和第三段的底面上形成栅氧化层；于栅氧化层上形成栅介质层，栅介质层的长度小于栅氧化层的长度，栅介质层靠近第三段设置。本公开通过在栅氧化层的侧壁上形成栅介质层，栅介质层的长度小于栅氧化层，且栅介质层靠近第三段，有利于控制半导体结构的关断电流，减少栅极诱导漏极泄露电流和带间隧穿的问题，进而有效提高半导体结构的性能和良率。

技术领域

本公开涉及半导体技术领域，尤其涉及一种半导体结构的制作方法及半导体结构。

背景技术

动态随机存储器(Dynamic random access memory，简称DRAM)是一种高速地、随机地写入和读取数据的半导体存储器，被广泛地应用到数据存储设备或装置中。其中，动态随机存储器包括重复设置的多个存储单元，每个存储单元均包括一个晶体管和一个电容器，电容器通过电容接触区、电容接触结构与晶体管的源、漏极连接。随着电子产品日益朝向轻、薄、短、小发展，动态随机存取存储器组件的设计也朝着符合高集成度、高密度、小型化的趋势发展。

随着半导体工艺的发展，半导体器件的尺寸越来越小，栅极诱导漏极泄漏(GateInduced Drain Leakage，GIDL)等问题会对半导体结构的形成产生较大的不利影响，降低了半导体结构的性能和良率。

发明内容

以下是对本公开详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。

本公开提供了一种半导体结构的制作方法及半导体结构。

本公开的第一方面提供了一种半导体结构的制作方法，所述制作方法包括：

提供基底；

于所述基底上形成多个有源柱，多个所述有源柱阵列排布，沿第一方向，所述有源柱包括顺序连接的第一段、第二段和第三段，沿第二方向，所述第二段的横截面面积小于所述第一段和所述第三段的横截面面积；

于所述第二段的侧壁、所述第一段的顶面和所述第三段的底面上形成栅氧化层；

于所述栅氧化层上形成栅介质层，沿第一方向，所述栅介质层的长度小于所述栅氧化层的长度，其中，所述栅介质层靠近所述第三段设置。

根据本公开的一些实施例，所述于所述基底上形成多个有源柱，包括：

于所述基底内形成多个位线隔离结构，多个所述位线隔离结构沿第二方向间隔设置，相邻的所述位线隔离结构之间的所述基底形成条状体；

对所述条状体进行处理，形成硅柱结构，沿第一方向，所述硅柱结构包括第一部分、第二部分和第三部分；

于所述基底内形成多个字线隔离结构，多个所述字线隔离结构沿第三方向间隔设置，所述第二方向与所述第三方向在同一水平面上相交，其中，相邻的所述位线隔离结构与相邻的所述字线隔离结构的之间的所述硅柱结构形成硅柱；

对所述硅柱的所述第二部分进行预设处理，形成所述有源柱。

根据本公开的一些实施例，所述于所述基底内形成多个位线隔离结构，多个所述位线隔离结构沿第二方向间隔设置，包括：

于所述基底内形成多个沿第二方向间隔设置的位线沟槽；

于所述位线沟槽内形成位线隔离结构。

根据本公开的一些实施例，所述于所述基底内形成多个字线隔离结构，多个所述字线隔离结构沿第三方向间隔设置，包括：