[发明专利]半导体结构的制作方法及半导体结构

权利要求书

1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，所述半导体结构的制作方法包括：

提供基底；

于所述基底上形成多个硅柱，多个所述硅柱阵列排布；

对所述硅柱进行预设处理，形成有源柱，其中，沿第一方向，所述有源柱包括顺序连接的第一段、第二段和第三段；

于所述第二段和所述第三段的侧壁上形成栅氧化层；

于所述栅氧化层上形成栅介质层，沿第一方向，所述栅介质层的长度小于所述栅氧化层的长度，所述栅介质层的顶面与所述第三段的顶面平齐。

2.根据权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述对所述硅柱进行预设处理，形成有源柱，包括：

对所述硅柱进行氧化工艺处理，其中，以垂直于第一方向的平面为横截面，所述有源柱的横截面形状包括圆形。

3.根据权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述于所述基底上形成多个硅柱，包括：

于所述基底内形成多个位线隔离沟槽，多个所述位线隔离沟槽沿第二方向间隔设置，相邻所述位线隔离沟槽之间的所述基底构成条状体；

于所述基底内形成多个字线隔离沟槽，多个所述字线隔离沟槽沿第三方向间隔设置，以将所述条状体分隔成多个硅柱，其中，沿第一方向，所述字线隔离沟槽的深度小于所述位线隔离沟槽的深度。

4.根据权利要求3所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述半导体结构的制作方法还包括：

于所述位线隔离沟槽内形成第一隔离层，所述第一隔离层的顶面与所述字线隔离沟槽的底面平齐；

于所述字线隔离沟槽内进行离子注入工艺，以在所述第一段的底面形成位线，其中，所述位线为多个，多个所述位线沿第二方向间隔设置。

5.根据权利要求4所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述半导体结构的制作方法还包括：

于所述基底内形成位线隔离结构，多个所述位线隔离结构沿第二方向间隔设置。

6.根据权利要求5所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述于所述基底内形成位线隔离结构，包括：

于所述第一隔离层的顶面和所述字线隔离沟槽内形成第二初始隔离层；

沿第一方向，去除部分所述第二初始隔离层，被保留下来的所述第二初始隔离层形成第二隔离层；

其中，沿第一方向，位于位线隔离沟槽内的所述第一隔离层和所述第二隔离层形成位线隔离结构，所述第二隔离层的顶面与所述第一段和所述第二段的交界位置平齐。

7.根据权利要求6所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述于所述第二段和所述第三段的侧壁上形成栅氧化层，包括：

利用原子层沉积工艺于所述有源柱上形成初始栅氧化层，所述初始栅氧化层包裹住所述第二段的侧壁、以及所述第三段的侧壁和顶面；

去除部分所述初始栅氧化层，暴露所述第二隔离层的顶面，被保留下来的所述初始栅氧化层形成栅氧化层。

8.根据权利要求7所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述第二隔离层的顶面与所述栅氧化层的侧壁之间形成填充区；

所述于所述栅氧化层上形成栅介质层，包括：

于所述填充区内形成第一初始字线；

去除部分所述第一初始位线，被保留下来的所述第一初始字线形成第一字线，其中，所述第一字线的顶面与所述第二段的预设位置平齐，所述第一字线与与其相邻的所述栅氧化层之间形成第一沟槽；

去除位于所述第三段顶面上的所述栅氧化层；

于所述第一沟槽的侧壁上形成栅介质层。

9.根据权利要求8所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述第一字线的顶面和所述栅介质层的侧壁之间形成第二沟槽；

所述半导体结构的制作方法还包括：

于所述第二沟槽内形成第二初始字线；

去除部分所述第二初始字线，被保留下来的所述第二初始位线形成第二字线，其中，所述第二字线的顶面与所述第二段和所述第三段的交界位置平齐，所述第一字线和所述第二字线形成初始字线结构。