[发明专利]半导体结构的制作方法及半导体结构

说明书

本公开提供了一种半导体结构的制作方法及半导体结构，涉及半导体技术领域。该半导体结构的制作方法包括：提供基底；于基底上形成多个硅柱，多个硅柱阵列排布；对硅柱进行预设处理，形成有源柱，沿第一方向，有源柱包括顺序连接的第一段、第二段和第三段；于第二段和第三段的侧壁上形成栅氧化层；于栅氧化层上形成栅介质层，沿第一方向，栅介质层的长度小于栅氧化层的长度，栅介质层的顶面与第三段的顶面平齐。本公开通过在栅氧化层的侧壁上形成栅介质层，栅介质层的长度小于栅氧化层，且栅介质层的顶面与第三段顶面平齐，有利于控制半导体结构的关断电流，减少栅极诱导漏极泄露电流和带间隧穿的问题，进而有效提高半导体结构的性能和良率。

技术领域

本公开涉及半导体技术领域，尤其涉及一种半导体结构的制作方法及半导体结构。

背景技术

动态随机存储器(Dynamic random access memory，简称DRAM)是一种高速地、随机地写入和读取数据的半导体存储器，被广泛地应用到数据存储设备或装置中。其中，动态随机存储器包括重复设置的多个存储单元，每个存储单元均包括一个晶体管和一个电容器，电容器通过电容接触区、电容接触结构与晶体管的源、漏极连接。随着电子产品日益朝向轻、薄、短、小发展，动态随机存取存储器组件的设计也朝着符合高集成度、高密度、小型化的趋势发展。

随着半导体工艺的发展，半导体器件的尺寸越来越小，栅极诱导漏极泄漏(GateInduced Drain Leakage，GIDL)等问题会对半导体结构的形成产生较大的不利影响，降低了半导体结构的性能和良率。

发明内容

以下是对本公开详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。

本公开提供了一种半导体结构的制作方法及半导体结构。

本公开的第一方面提供了一种半导体结构的制作方法，所述制作方法包括：

提供基底；

于所述基底上形成多个硅柱，多个所述硅柱阵列排布；

对所述硅柱进行预设处理，形成有源柱，其中，沿第一方向，所述有源柱包括顺序连接的第一段、第二段和第三段；

于所述第二段和所述第三段的侧壁上形成栅氧化层；

于所述栅氧化层上形成栅介质层，沿第一方向，所述栅介质层的长度小于所述栅氧化层的长度，所述栅介质层的顶面与所述第三段的顶面平齐。

根据本公开的一些实施例，所述对所述硅柱进行预设处理，形成有源柱，包括：

对所述硅柱进行氧化工艺处理，其中，以垂直于第一方向的平面为横截面，所述有源柱的横截面形状包括圆形。

根据本公开的一些实施例，所述于所述基底上形成多个硅柱，包括：

于所述基底内形成多个位线隔离沟槽，多个所述位线隔离沟槽沿第二方向间隔设置，相邻所述位线隔离沟槽之间的所述基底构成条状体；

于所述基底内形成多个字线隔离沟槽，多个所述字线隔离沟槽沿第三方向间隔设置，以将所述条状体分隔成多个硅柱，其中，沿第一方向，所述字线隔离沟槽的深度小于所述位线隔离沟槽的深度。

根据本公开的一些实施例，所述半导体结构的制作方法还包括：

于所述位线隔离沟槽内形成第一隔离层，所述第一隔离层的顶面与所述字线隔离沟槽的底面平齐；

于所述字线隔离沟槽内进行离子注入工艺，以在所述第一段的底面形成位线，其中，所述位线为多个，多个所述位线沿第二方向间隔设置。

根据本公开的一些实施例，所述半导体结构的制作方法还包括：

于所述基底内形成位线隔离结构，多个所述位线隔离结构沿第二方向间隔设置。