[发明专利]封装结构及其制造方法在审
申请号: | 202111443748.5 | 申请日: | 2021-11-30 |
公开(公告)号: | CN114171415A | 公开(公告)日: | 2022-03-11 |
发明(设计)人: | 赵晨;周南嘉 | 申请(专利权)人: | 矽力杰半导体技术(杭州)有限公司 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56;H01L23/31;H01L23/367;H01L23/373 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 310051 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 封装 结构 及其 制造 方法 | ||
1.一种形成封装结构的方法,其中,包括:
形成封装芯片;以及
在所述封装芯片的外部表面形成散热结构,
其中,所述封装芯片至少被封装材料完全包封或者部分包封,所述散热结构完全被所述封装材料裸露。
2.根据权利要求1所述的方法,其中,在所述封装芯片的外部表面形成散热结构的方法包括:
将散热材料的液体胶状物装入针管中,
采用所述针管将散热材料置于所述封装芯片的外部表面;以及
采用低温烧结工艺形成固体状的所述散热结构。
3.根据权利要求1所述的方法,其中,形成所述封装芯片的方法包括:
将裸芯片有源面的电极焊盘引出至管脚;以及
采用封装材料对所述裸芯片和所述电极焊盘进行塑封;
其中,所述封装材料完全包封所述裸芯片。
4.根据权利要求1所述的方法,其中,形成所述封装芯片的方法包括:
将裸芯片有源面的电极焊盘引出至管脚;
采用封装材料对所述裸芯片和所述电极焊盘进行塑封;以及
去除部分所述封装材料以至少裸露出所述裸芯片的背面,
其中,所述裸芯片的背面与有源面相对。
5.根据权利要求3所述的方法,其中,所述散热结构固定于包封所述裸芯片的所述封装材料的至少一表面上。
6.根据权利要求4所述的方法,其中,所述散热结构至少固定于所述裸芯片的背面。
7.根据权利要求1所述的方法,其中,所述散热结构为低热阻材料。
8.根据权利要求1所述的方法,其中,所述散热结构的高度小于等于1.5mm。
9.根据权利要求1所述的方法,其中,所述散热结构为金属或陶瓷材料。
10.一种封装结构,包括:
封装芯片;
位于所述封装芯片的外部表面的散热结构,
其中,所述封装芯片被封装材料完全包封或者部分包封,所述散热结构完全被所述封装材料裸露。
11.根据权利要求10所述的封装结构,其中,所述散热结构与所述封装芯片的外部表面通过烧结工艺连接。
12.根据权利要求10所述的封装结构,其中,所述散热结构为低热阻材料。
13.根据权利要求10所述的封装结构,其中,所述散热结构为一体结构。
14.根据权利要求10所述的封装结构,其中,所述散热结构为分离结构。
15.根据权利要求10所述的封装结构,其中,所述散热结构的高度小于等于1.5mm。
16.根据权利要求10所述的封装结构,其中,所述散热结构为金属或陶瓷材料。
17.根据权利要求10所述的封装结构,其中,所述封装芯片中的裸芯片完全被所述封装材料包封。
18.根据权利要求10所述的封装结构,其中,所述封装芯片中的裸芯片的背面至少被所述封装材料裸露,所述裸芯片的背面与所述裸芯片的有源面相对。
19.根据权利要求18所述的封装结构,其中,所述散热结构至少位于所述裸芯片背面上。
20.根据权利要求10所述的封装结构,其中,所述散热结构裸露的外表面积越大,所述散热效果越好。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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