[发明专利]封装结构及其制造方法

说明书

本发明公开了一种封装结构及其一种形成封装结构的方法，所述方法包括：形成封装芯片；以及在所述封装芯片的外部表面形成散热结构，其中，所述封装芯片被封装材料完全包封或者部分包封，所述散热结构完全被所述封装材料裸露。本发明提供的方法在不改变现有的封装芯片的工艺基础上，在封装芯片上固定散热结构，以提高封装芯片的散热能力。

技术领域

本发明涉及芯片封装技术领域，尤其涉及一种封装结构及其一种形成封装结构的方法。

背景技术

功率管理芯片长期受散热能力限制功率密度及变换效率的进一步提升，当前的功率管理芯片散热大多依赖封装管脚和PCB电路板之间的低热阻连接实现热量传导，部分特殊耗电芯片还会额外再芯片封装外部贴装散热器加强封装到空气之间的散热效果，部分复杂封装采用内部导热材料向封装外裸露实现内部芯片热量向空气或PCB电路板等外部环境传递。

发明内容

有鉴于此，本发明提出一种封装结构及其制造方法，以在不改变现有的封装芯片的工艺上，增加芯片的散热能力。

根据本发明的第一方面，提出一种形成封装结构的方法，其中，包括：形成封装芯片；以及在所述封装芯片的外部表面形成散热结构，其中，所述封装芯片至少被封装材料完全包封或者部分包封，所述散热结构完全被所述封装材料裸露。

优选地，在所述封装芯片的外部表面形成散热结构的方法包括：将散热材料的液体胶状物装入针管中，采用所述针管将散热材料置于所述封装芯片的外部表面；以及采用低温烧结工艺形成固体状的所述散热结构。

优选地，形成所述封装芯片的方法包括：将裸芯片有源面的电极焊盘引出至管脚；以及采用封装材料对所述裸芯片和所述电极焊盘进行塑封；其中，所述封装材料完全包封所述裸芯片。

优选地，形成所述封装芯片的方法包括：将裸芯片有源面的电极焊盘引出至管脚；采用封装材料对所述裸芯片和所述电极焊盘进行塑封；以及去除部分所述封装材料以至少裸露出所述裸芯片的背面，其中，所述裸芯片的背面与有源面相对。

优选地，所述散热结构固定于包封所述裸芯片的所述封装材料的至少一表面上。

优选地，所述散热结构至少固定于所述裸芯片的背面。

优选地，所述散热结构为低热阻材料。

优选地，所述散热结构的高度小于等于1.5mm。

优选地，所述散热结构为金属或陶瓷材料。

根据本发明的第二方面，提出一种封装结构，包括：封装芯片；位于所述封装芯片的外部表面的散热结构，其中，所述封装芯片被封装材料完全包封或者部分包封，所述散热结构完全被所述封装材料裸露。

优选地，所述散热结构与所述封装芯片的外部表面通过烧结工艺连接。

优选地，所述散热结构为低热阻材料。

优选地，所述散热结构为一体结构。

优选地，所述散热结构为分离结构。

优选地，所述散热结构的高度小于等于1.5mm。

优选地，所述散热结构为金属或陶瓷材料。

优选地，所述封装芯片中的裸芯片完全被所述封装材料包封。

优选地，至少所述封装芯片中的裸芯片的背面被所述封装材料裸露，所述裸芯片的背面与所述裸芯片的有源面相对。

优选地，所述散热结构至少位于所述裸芯片背面上。

优选地，所述散热结构裸露的外表面积越大，所述散热效果越好。

优选地，所述散热结构固定于所述封装芯片的至少一表面上。