[发明专利]一种提高放电管浪涌能力的版图结构

权利要求书

1.一种提高放电管浪涌能力的版图结构，其特征在于，包括硼区(1)，所述硼区(1)上开设有调整区域和发射区域；

所述调整区域分为调整区一(3)和调整区二(5)；

所述发射区域分为发射区一(2)和发射区二(4)，所述发射区一(2)上开设有若干个短路孔一(6)，所述发射区二(4)上开设有若干个短路孔二(7)；

所述调整区一(3)位于发射区一(2)和发射区二(4)之间，所述调整区二(5)位于硼区(1)边缘紧邻发射区一(2)。

2.根据权利要求1所述的一种提高放电管浪涌能力的版图结构,其特征在于，所述调整区一(3)的长度与发射区一(2)和发射区二(4)的长度相适配。

3.根据权利要求1所述的一种提高放电管浪涌能力的版图结构,其特征在于，所述调整区二(5)的长度与发射区一(2)的长度相适配。

4.根据权利要求1所述的一种提高放电管浪涌能力的版图结构,其特征在于，所述调整区一(3)与硼区(1)形成第一PN结(8)。

5.根据权利要求1所述的一种提高放电管浪涌能力的版图结构,其特征在于，所述调整区二(5)与硼区(1)形成第二PN结(9)。

6.根据权利要求1所述的一种提高放电管浪涌能力的版图结构,其特征在于，所述调整区一(3)和调整区二(5)是通过离子注入同时形成。

7.根据权利要求6所述的一种提高放电管浪涌能力的版图结构,其特征在于，注入元素为磷，且注入剂量为8e13-9e14，注入能量为60-120keV。

8.一种如根据权利要求1所述的提高放电管浪涌能力的版图结构的制造工艺,其特征在于，包括以下步骤：

步骤一：衬底材料

N型硅单晶片，电阻率ρ：30～60Ω·cm、片厚：230～300μm，双面抛光；

步骤二：氧化

氧化温度900-1300℃，t＝5-10h，氧化层厚度Tox＝1-2μm；

步骤三：调整区域光刻

采用调整区光刻板；

步骤四：离子注入

双面通过磷注入，注入剂量8e13-9e14，注入能量60-120keV，注入后推结温度1100-1300℃，推结时间30-50h；

步骤五：硼扩散

S1：预淀积

T＝900-1100℃、t＝1-4h，R_□＝10-20Ω/_□；

S2：再扩散

T＝1100-1300℃、t＝10h-20h，X_j＝20μm-40μm；

步骤六：发射区域光刻

采用发射区光刻版；

步骤七：磷扩散

S1：预淀积

T＝900-1100℃、t＝1h-2h，R_□＝0.5-6Ω/_□；

S2：再扩散

T＝1000-1200℃、t＝1h-4h，X_j＝10-20μm；

步骤八：槽光刻

采用槽版；

步骤九：台面腐蚀

腐蚀液为硝酸、氢氟酸和冰乙酸的混合溶液，腐蚀温度5-15℃，腐蚀时间3-8min，槽深50-70μm；

步骤十：钝化

采用玻璃钝化，烧玻璃粉；

步骤十一：淀积LTO

淀积温度400-500℃，淀积时间10-50min，LTO厚度1000-3000A°；

步骤十二：引线孔光刻

采用引线孔版；

步骤十三、蒸铝

铝层厚度δ＝1-4μm；

步骤十四：铝反刻

采用金属反刻版；

步骤十五：铝合金

合金温度300-500℃，时间30-90min；

步骤十六：蒸Ti-Ni-Ag

Ti-Ni-Ag厚度1-4μm；

步骤十七：Ti-Ni-Ag反刻

采用金属反刻版。