[发明专利]磺酸亚胺类化合物作为KrF厚膜光刻胶光产酸剂的应用

说明书

本发明公开了一种磺酸亚胺类化合物作为KrF厚膜光刻胶光产酸剂的应用。具体地，本发明公开了一种如式Ⅰ所示的磺酸亚胺类化合物作为KrF厚膜光刻胶光产酸剂的应用，以式Ⅰ所示的磺酸亚胺类化合物作为产酸剂制备得到的光刻胶组合物形成的胶膜矩形性佳。

技术领域

本发明涉及一种磺酸亚胺类化合物作为KrF厚膜光刻胶光产酸剂的应用。

背景技术

目前在半导体制造领域，LCD(液晶显示)/BUMP凸块/MEMS微机电/3D-NAND存储器等芯片制造过程中，会用到KrF光源厚膜光刻胶，此类光刻胶既不同于常规的KrF的薄层光刻胶，也不同于ArF光源的光刻胶，而是具有自己独特的性能。

目前虽然集成电路半导体芯片制造技术在飞速发展，但配套的此类KrF光源的厚膜光刻胶的技术却并没有完全成熟，是目前KrF类光刻胶研究的热点领域。尤其是，针对KrF厚膜光刻胶用光产酸剂市场较为匮乏，亟需开发。

发明内容

本发明提供了一种磺酸亚胺类化合物作为KrF厚膜光刻胶的光产酸剂的应用。本发明的磺酸亚胺类化合物作为光产酸剂制备得到的光刻胶组合物形成的胶膜矩形性佳。

本发明是通过以下技术方案来解决上述技术问题的。

本发明提供了一种磺酸亚胺类化合物作为KrF厚膜光刻胶组合物中的光产酸剂的应用，所述的磺酸亚胺类化合物为如式Ⅰ所示的化合物；

          

式Ⅰ中，n为0、1、2或3；

R₁为-COOR^1-1或C_1-4烷基；R^1-1为C_1-4烷基；

R₂为C_1-4烷基。

在一优选方案中，n为0、1或2。

在一优选方案中，R₁为-COOR^1-1，其中R^1-1为甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基或叔丁基，优选乙基。

在一优选方案中，R₁为甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基或叔丁基，优选甲基。

在一优选方案中，R₂为甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基或叔丁基，优选甲基。

所述的磺酸亚胺类化合物优选为以下化合物中的任一种：

所述的KrF厚膜光刻胶组合物，其包括所述的磺酸亚胺类化合物。

所述的KrF厚膜光刻胶组合物包括下列组分：所述的磺酸亚胺类化合物、光敏聚合物、三乙醇胺和溶剂；

所述光敏聚合物可以是能够用于深紫外(DUV)光而进行光化学反应的聚合物。例如，光敏聚合物可以是当与光敏聚合物混合在一起的光致产酸剂(PAG)暴露于光如深紫外光而产生酸时进行化学反应的聚合物，并且这样产生的酸使聚合物进行化学反应从而使聚合物提高其亲水性或疏水性。应了解，光敏聚合物不必直接对光敏感(例如，光敏聚合物对光的暴露不必改变光敏聚合物的化学组成，尽管光敏聚合物的化学组成可以由于由曝光的与光敏聚合物混合在一起的PAG产生的酸而改变)。在一些实施方案中，光敏聚合物在碱中的溶解性可以由于光化学反应而增加。在一些实施方案中，光敏聚合物可以具有其中保护基与重复单元键合的结构，并且保护基可以在曝光过程中脱保护，使得光敏聚合物很好地溶解于碱。光刻胶可以是正性光刻胶，其中将光刻胶由之后的光刻胶显影而去除的部分暴露于光(例如DUV光)。脱保护的保护基可以产生新的酸以进行化学增幅。