[发明专利]晶圆清洗设备中清洗液温度的控制装置及晶圆清洗设备

权利要求书

1.一种晶圆清洗设备中清洗液温度的控制装置，其特征在于，所述控制装置包括：制冷片模组、控制模块和第一测温器件；其中，

多个所述制冷片模组贴设在所述晶圆清洗设备的清洗槽的外壁上，每个所述制冷片模组均包括至少两个依次导热连接的半导体制冷片，每个所述半导体制冷片均包括第一片体和第二片体；所述第一片体与所述第二片体分别与所述控制模块连接；

所述第一测温器件，用于测量清洗槽内的清洗液的当前温度，并将所述当前温度传输至所述控制模块；

所述控制模块，用于根据所述当前温度和所述清洗液的目标温度，控制施加至所述半导体制冷片中的所述第一片体的第一极性、施加至所述半导体制冷片中的所述第二片体的第二极性、以及在所述第一片体与所述第二片体之间所施加的功率大小。

2.根据权利要求1所述的控制装置，其特征在于，所述控制模块包括：至少两个电源极性切换电路、至少两个功率调节电路和中心控制电路；

其中，每个所述半导体制冷片的所述第一片体均通过一个所述电源极性切换电路和一个所述功率调节电路与供电电源相连接；每个所述半导体制冷片的所述第二片体均通过另一个所述电源极性切换电路和另一个所述功率调节电路与所述供电电源相连接；

所述中心控制电路分别与所述第一测温器件、至少两个所述电源极性切换电路和至少两个所述功率调节电路相连接；

所述中心控制电路，用于根据所述当前温度和所述目标温度，通过所述电源极性切换电路控制施加至所述第一片体的第一极性和施加至所述第二片体的第二极性，以及通过所述功率调节电路控制在所述第一片体与所述第二片体之间所施加的功率大小。

3.根据权利要求1所述的控制装置，其特征在于，所述清洗槽外侧还设置有防护外壳，至少两个所述半导体制冷片之间还设置有第二测温器件；

所述第二测温器件，用于测量靠近所述防护外壳的所述半导体制冷片的第一片体的实际温度，并将所述实际温度传输至所述控制模块；

所述控制模块，还用于基于所述实际温度和所述防护外壳的最大耐热温度，判断是否切换施加至所述半导体制冷片中的所述第一片体的第一极性和施加至所述第二片体的第二极性，并在判断结果为是的情况下，切换所述第一极性和所述第二极性，或者在判断结果为否的情况下，调节在所述第一片体与所述第二片体之间所施加的功率大小。

4.根据权利要求3所述的控制装置，其特征在于，所述控制模块，还具体用于在所述实际温度大于或等于第一预设值时，基于所述实际温度调节所述第一片体与所述第二片体之间所施加的功率大小，直到所述实际温度小于所述第一预设值；并在所述实际温度小于所述第一预设值时，确定切换所述第一极性和所述第二极性；

其中，所述第一预设值与所述最大耐热温度和靠近所述防护外壳的所述半导体制冷片的结温差之间的差值有关。

5.根据权利要求3所述的控制装置，其特征在于，所述至少两个半导体制冷片包括：第一半导体制冷片和第二半导体制冷片；

其中，所述第一半导体制冷片中的第一片体设置于所述清洗槽的外壁上，所述第一半导体制冷片中的第二片体与所述第一半导体制冷片中的第一片体导热连接，所述第二半导体制冷片中的第一片体与所述第一半导体制冷片中的第二片体导热连接，所述第二半导体制冷片中的第二片体与所述第二半导体制冷片中的第一片体导热连接且靠近所述防护外壳。

6.根据权利要求5所述的控制装置，其特征在于，所述控制模块，还具体用于在所述实际温度大于或等于所述最大耐热温度与所述第二半导体制冷片的结温差之间的差值的情况下，基于所述实际温度调节施加至所述第一半导体制冷片的功率大小和施加至所述第二半导体制冷片的功率大小；

在所述实际温度小于所述最大耐热温度与所述第二半导体制冷片的结温差之间的差值的情况下，切换施加至所述第二半导体制冷片中所述第一片体的第一极性和施加至所述第二片体的第二极性，以使所述第二半导体制冷片中的所述第一片体通过热传递的方式降低所述第一半导体制冷片中的所述第二片体的温度；

在所述当前温度达到第二预设值的情况下，调节所述第一半导体制冷片中所述第一片体与所述第二片体之间所施加的功率大小，以使所述当前温度达到所述目标温度。