[发明专利]晶圆清洗设备中清洗液温度的控制装置及晶圆清洗设备在审
申请号: | 202111445138.9 | 申请日: | 2021-11-30 |
公开(公告)号: | CN114171436A | 公开(公告)日: | 2022-03-11 |
发明(设计)人: | 陈海祥;张明;南建辉;杨斌 | 申请(专利权)人: | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;B08B3/08;B08B3/10;B08B11/00 |
代理公司: | 北京国昊天诚知识产权代理有限公司 11315 | 代理人: | 姜凤岩 |
地址: | 100176 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 清洗 设备 温度 控制 装置 | ||
本申请实施例公开了一种晶圆清洗设备中清洗液温度的控制装置及晶圆清洗设备,用以解决现有技术中控制清洗液温度时温度控制不够灵活、精确,且容易因清洗液的加热温度过高而导致防护外壳受热形变的问题。该装置包括:制冷片模组、控制模块和第一测温器件;制冷片模组设置在清洗槽的外壁上,通过控制模块基于清洗槽内清洗液的当前温度和目标温度,灵活地控制制冷片模组,从而实现升温加热和降温冷却功能的灵活切换,进而灵活地控制清洗液的温度,并且由于制冷片模组中的半导体制冷片处于工作状态时,第一片体与第二片体之间会产生一定温差,能够避免因清洗液的加热温度过高而导致清洗槽的防护外壳受热变形,起到对防护外壳进行降温保护的效果。
技术领域
本申请涉及半导体技术领域,尤其涉及一种晶圆清洗设备中清洗液温度的控制装置及晶圆清洗设备。
背景技术
晶圆清洗设备主要分为单片半导体清洗设备和用于批量清洗的槽式半导体清洗设备,其中,槽式半导体清洗设备由于通过率高,产能大而得以广泛应用,槽式半导体清洗设备在清洗晶圆的过程中,根据所需去除的表面残留物质的不同,需要在清洗槽内配置不同的化学药剂,为了达到最佳的清洗效果,往往药剂浓度以及药剂的温度也需要根据工艺的需求进行控制。
相关技术中,在对清洗槽内化学药剂的温度进行控制时,需要在清洗槽外表面粘贴加热体或附带辐射加热功能的加热体而构成带有加热功能的清洗槽;但是,该方案不好把控加热体的温度,且容易因加热体温度过高,从而导致清洗液的加热温度过高,进而导致清洗槽外侧的防护外壳受热形变的问题。
发明内容
本申请实施例的目的是提供一种晶圆清洗设备中清洗液温度的控制装置及晶圆清洗设备,用以解决现有技术中控制晶圆清洗设备中的清洗液温度时温度控制不够灵活、精确,且容易因清洗液的加热温度过高而导致清洗槽外侧的防护外壳受热形变的问题。
为解决上述技术问题,本申请实施例是这样实现的:
第一方面,本申请实施例提供一种晶圆清洗设备中清洗液温度的控制装置,所述控制装置包括:制冷片模组、控制模块和第一测温器件;其中,
多个所述制冷片模组贴设在所述晶圆清洗设备的清洗槽的外壁上,每个所述制冷片模组均包括至少两个依次导热连接的半导体制冷片,每个所述半导体制冷片均包括第一片体和第二片体;所述第一片体与所述第二片体分别与所述控制模块连接;
所述第一测温器件,用于测量清洗槽内的清洗液的当前温度,并将所述当前温度传输至所述控制模块;
所述控制模块,用于根据所述当前温度和所述清洗液的目标温度,控制施加至所述半导体制冷片中的所述第一片体的第一极性、施加至所述半导体制冷片中的所述第二片体的第二极性、以及在所述第一片体与所述第二片体之间所施加的功率大小。
第二方面,本申请实施例提供一种晶圆清洗设备,所述晶圆清洗设备包括:清洗槽和如第一方面所述的晶圆清洗设备中清洗液温度的控制装置。
采用本申请实施例的技术方案,通过在清洗槽的外壁上设置制冷片模组,进而通过控制模块基于清洗槽内清洗液的当前温度的目标温度,控制施加至半导体制冷片的第一片体和第二片体的电极极性、以及在第一片体和第二片体之间所施加的功率大小,来实现灵活地控制清洗槽内的清洗液的温度,这样不仅能够达到针对清洗液的升温加热的效果,还能够使得清洗液由高温降低至低温的效果,从而达到升温加热和降温冷却功能的灵活切换,可以使温度控制更加精确;并且由于在半导体制冷片处于工作状态的情况下,第一片体与第二片体之间会产生一定温差,这样能够起到对清洗槽的防护外壳进行降温保护的效果,从而达到防止因清洗槽内的清洗液的加热温度过高而导致防护外壳受热形变的问题。
附图说明
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造