[发明专利]半导体封装装置及其制造方法在审
| 申请号： | 202111448295.5 | 申请日： | 2021-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN114284242A | 公开（公告）日： | 2022-04-05 |
| 发明（设计）人： | 叶上暐;黄敏龙;吴崇熙;杨盛文;张谦维 | 申请（专利权）人： | 日月光半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/538 | 分类号： | H01L23/538;H01L25/065;H01L21/50 |
| 代理公司： | 北京植德律师事务所 11780 | 代理人： | 唐华东 |
| 地址： | 中国台湾高雄*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 封装 装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体封装装置，包括：
模塑材；
桥接芯片，包覆在所述模塑材内，所述桥接芯片上设置有导电垫和第一导电孔，所述导电垫位于所述桥接芯片的第一表面，所述第一导电孔位于桥接芯片内并与所述导电垫电连接；
缓冲层，设置在所述桥接芯片的第一表面，所述缓冲层上设置有第二导电孔，所述第二导电孔的第一端与所述导电垫电连接，所述第二导电孔的第二端暴露在所述缓冲层外。
2.根据权利要求1所述的半导体封装装置，其中，所述导电孔的第二端通过焊料与第一电子元件电连接。
3.根据权利要求1所述的半导体封装装置，其中，所述第二导电孔的直径自所述第一端至所述第二端逐渐增大。
4.根据权利要求1所述的半导体封装装置，其中，所述第二导电孔的直径自所述第一端至所述第二端保持均匀。
5.根据权利要求1所述的半导体封装装置，其中，所述缓冲层的刚度小于所述第二导电孔或者所述桥接芯片的刚度。
6.根据权利要求1所述的半导体封装装置，其中，所述缓冲层包括第一介电层和第二介电层，所述第一介电层设置在所述桥接芯片的第一表面，所述第二介电层设置在所述第一介电层的表面，所述第二导电孔贯穿所述第一介电层和所述第二介电层。
7.根据权利要求6所述的半导体封装装置，其中，所述缓冲层还包括第三介电层，所述第三介电层设置在所述第二介电层的表面并且覆盖所述第二导电孔，所述第三介电层上设置有开孔，所述第二导电孔通过所述开孔暴露在外。
8.根据权利要求1所述的半导体封装装置，其中，所述第二导电孔的长度大于所述导电垫的厚度。
9.根据权利要求1所述的半导体封装装置，其中，所述第二导电孔的最小直径大于所述第一导电孔的直径。
10.根据权利要求1所述的半导体封装装置，其中，所述半导体封装装置还包括至少两个第二电子元件，所述至少两个电子元件通过所述桥接芯片电连接。
11.一种半导体封装装置的制造方法，包括：
将桥接芯片连接至缓冲层，其中，所述桥接芯片上设置有导电垫和第一导电孔，所述导电垫位于所述桥接芯片的第一表面，所述第一导电孔位于桥接芯片内并与所述导电垫电连接；
通过模塑方式，形成包覆所述桥接芯片的模塑材；
通过钻孔和电镀方式在所述缓冲层上形成第二导电孔，以得到半导体封装装置，其中，所述导电孔的第一端与所述导电垫电连接，所述第二导电孔的第二端暴露在所述缓冲层外。
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