[发明专利]一种硅基耗尽型电光调制器及其制备方法和应用在审
| 申请号： | 202111455348.6 | 申请日： | 2021-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN114236880A | 公开（公告）日： | 2022-03-25 |
| 发明（设计）人： | 朱子健;赵瑛璇;黄海阳;甘甫烷 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | G02F1/015 | 分类号： | G02F1/015;G02F1/025 |
| 代理公司： | 上海泰博知识产权代理有限公司 31451 | 代理人： | 魏峯 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 耗尽 电光 调制器 及其 制备 方法 应用 | ||
【权利要求书】：
1.一种硅基耗尽型电光调制器，包括硅层(1-9)，其特征在于：所述硅层(1-9)上依次包括P型重掺杂区(1-5)、P型中等掺杂区(1-3)、P型轻掺杂区(1-1)、N型轻掺杂区(1-2)、N型中等掺杂区(1-4)和N型重掺杂区(1-6)；所述P型轻掺杂区(1-1)与N型轻掺杂区(1-2)形成至少两个纵向PN结，至少三个横向PN结。
2.根据权利要求1所述的一种硅基耗尽型电光调制器，其特征在于：所述P型重掺杂区(1-5)连接阳极(1-7)，N型重掺杂区(1-6)连接阴极(1-8)。
3.根据权利要求1所述的一种硅基耗尽型电光调制器，其特征在于：所述P型轻掺杂区(1-1)和N型轻掺杂区(1-2)形成脊波导区域。
4.一种硅基耗尽型电光调制器的制备方法，包括如下步骤：
(1)对调制器的硅层(1-9)进行离子注入，实现重掺杂、中等掺杂和轻掺杂，其中P型轻掺杂区(1-1)的构成通过三道P型注入构成，N型轻掺杂区(1-2)通过两道N型注入构成，以及N型中等掺杂区(1-4)的注入位置包含部分N型轻掺杂区(1-2)；
(2)形成阳极(1-7)和阴极(1-8)，分别与P型重掺杂区(1-5)和N型重掺杂区(1-6)相连。
5.一种如权利要求1所述的硅基耗尽型电光调制器在大规模数据传输中的应用。
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