[发明专利]半导体工艺异常的检测方法、装置与系统

权利要求书

1.一种半导体工艺异常的检测方法，其特征在于，包括：

在存在异常晶圆的情况下，获取在相同的工艺步骤时制作所述异常晶圆的和正常晶圆的工艺数据，分别得到第一工艺数据和第二工艺数据，所述异常晶圆为性能不满足预定要求的晶圆，所述正常晶圆为性能满足预定要求的晶圆；

根据所述第一工艺数据和所述第二工艺数据，判断所述异常晶圆的所述工艺步骤是否发生异常。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在存在异常晶圆的情况下，获取在相同的工艺步骤时制作所述异常晶圆的和所述正常晶圆的工艺数据，分别得到第一工艺数据和第二工艺数据，包括：

对工艺步骤进行编号，相同的工艺步骤的编号相同，得到多个工艺编号；

获取对应各所述工艺步骤时，制作所述正常晶圆时的第一预定工艺数据以及制作所述异常晶圆时的第二预定工艺数据，其中，在制作一个所述晶圆时，多个时间上具有间隔的相同的所述工艺步骤对应同一个所述工艺编号；

根据所述第一预定工艺数据和所述第二预定工艺数据，对所述工艺编号进行调整，得到调整后的所述工艺编号，所述调整包括以下至少之一：将相邻的不同的所述工艺编号调整为相同的所述工艺编号、将两个相同的所述工艺步骤对应的所述工艺编号调整为不同的所述工艺编号；

获取相同的调整后的所述工艺编号对应的所述工艺步骤时，制作所述异常晶圆的和所述正常晶圆的工艺数据，分别得到第一工艺数据和第二工艺数据。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，根据所述第一预定工艺数据和所述第二预定工艺数据，对所述工艺编号进行调整，得到调整后的所述工艺编号，包括：

在两个相邻的相同的所述工艺编号对应的两个第一预定工艺数据的差值大于第一预定差值，和/或，在两个相邻的相同的所述工艺编号对应的两个第二预定工艺数据的差值大于所述第一预定差值的情况下，将对应的两个相同的所述工艺编号调整为两个不同的所述工艺编号，得到第一预定编号和第二预定编号。

4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，根据所述第一预定工艺数据和所述第二预定工艺数据，对所述工艺编号进行调整，得到调整后的所述工艺编号，包括：

在相邻的两个不同的所述工艺步骤对应的两个所述第一预定工艺数据的差值小于第二预定差值，和/或，在相邻的两个不同的所述工艺步骤对应的两个第二预定工艺数据的差值小于所述第二预定差值的情况下，将对应的所述预定工艺编号调整为两个相同的所述工艺编号，得到第三工艺编号。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的方法，其特征在于，获取在相同的工艺步骤时制作所述异常晶圆的和所述正常晶圆的工艺数据，分别得到第一工艺数据和第二工艺数据，包括：

分别在相同的工艺步骤时且预定时间内，制作所述异常晶圆的和所述正常晶圆的多个工艺数据，得到多个第一原始数据和多个第二原始数据；

分别计算所述第一原始数据和所述第二原始数据的平均值，得到所述第一工艺数据和所述第二工艺数据。

6.根据权利要求1至4中任一项所述的方法，其特征在于，根据所述第一工艺数据和所述第二工艺数据，判断所述异常晶圆的所述工艺步骤是否发生异常，包括：

在所述第一工艺数据不在预定范围的情况下，确定对应的所述工艺步骤发生异常，所述预定范围为根据对应的所述第二工艺数据确定的范围，且所述第二工艺数据在所述预定范围内。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述预定范围的确定过程包括：

在所述正常晶圆有多个的情况下，确定所述预定范围的最大值为相同的所述工艺步骤对应的最大的所述第二工艺数据与第一预定值的和，所述预定范围的最小值为相同的所述工艺步骤对应的最小的所述第二工艺数据与第二预定值的差，所述第一预定值大于等于0，所述第二预定值大于等于0；

在所述正常晶圆有一个的情况下，确定所述预定范围的最大值为相同的所述工艺步骤对应的所述第二工艺数据与第三预定值的和，所述预定范围的最小值为相同的所述工艺步骤对应的所述第二工艺数据与第四预定值的差，所述第三预定值大于等于0，所述第四预定值大于等于0。