[发明专利]半导体工艺异常的检测方法、装置与系统在审

专利信息
申请号: 202111459865.0 申请日: 2021-12-01
公开(公告)号: CN114256105A 公开(公告)日: 2022-03-29
发明(设计)人: 朱道钰;杨海峰 申请(专利权)人: 长江存储科技有限责任公司
主分类号: H01L21/67 分类号: H01L21/67
代理公司: 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 代理人: 张岳峰
地址: 430074 湖北省武*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 半导体 工艺 异常 检测 方法 装置 系统
【说明书】:

本申请提供了一种半导体工艺异常的检测方法、装置与系统。该方法包括:在存在异常晶圆的情况下,获取在相同的工艺步骤时制作异常晶圆的和正常晶圆的第一工艺数据和第二工艺数据;根据第一工艺数据和第二工艺数据,判断异常晶圆的工艺步骤是否发生异常。该方法中,在生产完成的晶圆不满足预定要求的性能时,获取异常晶圆和正常晶圆在相同的工艺步骤制作时的第一工艺数据和第二工艺数据,根据异常晶圆的第一工艺数据和正常晶圆的第二工艺数据,就可以确定该步骤是否发生异常,从而实现了检测半导体制作工艺步骤是否发生异常,进而可以根据该检测结果,调整相关工艺步骤的参数,避免在后续的半导体制作中造成更大的损失。

技术领域

本申请涉及半导体领域,具体而言,涉及一种半导体工艺异常的检测方法、装置、计算机可读存储介质与系统。

背景技术

随着半导体技术的发展,半导体芯片上集成的电子器件的数量也越来越多。在芯片的制造过程中,往往需要经过上百道工艺步骤。因此,当半导体成品的性能不满足预定要求时,往往很难找到哪个工艺步骤发生了异常。

因此,亟需一种可以检测工艺步骤是否发生异常的方法。

在背景技术部分中公开的以上信息只是用来加强对本文所描述技术的背景技术的理解,因此,背景技术中可能包含某些信息,这些信息对于本领域技术人员来说并未形成在本国已知的现有技术。

发明内容

本申请的主要目的在于提供一种半导体工艺异常的检测方法、装置、计算机可读存储介质与系统,以解决现有技术中缺乏检测工艺步骤是否发生异常的问题。

根据本发明实施例的一个方面,提供了一种半导体工艺异常的检测方法,包括:在存在异常晶圆的情况下,获取在相同的工艺步骤时制作所述异常晶圆的和所述正常晶圆的工艺数据,分别得到第一工艺数据和第二工艺数据,所述异常晶圆为性能不满足预定要求的晶圆,所述正常晶圆为性能满足预定要求的晶圆;根据所述第一工艺数据和所述第二工艺数据,判断所述异常晶圆的所述工艺步骤是否发生异常。

可选地,在存在异常晶圆的情况下,获取在相同的工艺步骤时制作所述异常晶圆的和所述正常晶圆的工艺数据,分别得到第一工艺数据和第二工艺数据,包括:对工艺步骤进行编号,相同的工艺步骤的编号相同,得到多个工艺编号;获取对应各所述工艺步骤时,制作所述正常晶圆时的第一预定工艺数据以及制作所述异常晶圆时的第二预定工艺数据,其中,在制作一个所述晶圆时,多个时间上具有间隔的相同的所述工艺步骤对应同一个所述工艺编号;根据所述第一预定工艺数据和所述第二预定工艺数据,对所述工艺编号进行调整,得到调整后的所述工艺编号,所述调整包括以下至少之一:将相邻的不同的所述工艺编号调整为相同的所述工艺编号、将两个相同的所述工艺步骤对应的所述工艺编号调整为不同的所述工艺编号;获取相同的调整后的所述工艺编号对应的所述工艺步骤时,制作所述异常晶圆的和所述正常晶圆的工艺数据,分别得到第一工艺数据和第二工艺数据。

可选地,根据所述第一预定工艺数据和所述第二预定工艺数据,对所述工艺编号进行调整,得到调整后的所述工艺编号,包括:在两个相邻的相同的所述工艺编号对应的两个第一预定工艺数据的差值大于第一预定差值,和/或,在两个相邻的相同的所述工艺编号对应的两个第二预定工艺数据的差值大于所述第一预定差值的情况下,将对应的两个相同的所述工艺编号调整为两个不同的所述工艺编号,得到第一预定编号和第二预定编号。

可选地,根据所述第一预定工艺数据和所述第二预定工艺数据,对所述工艺编号进行调整,得到调整后的所述工艺编号,包括:在相邻的两个不同的所述工艺步骤对应的两个所述第一预定工艺数据的差值小于第二预定差值,和/或,在相邻的两个不同的所述工艺步骤对应的两个第二预定工艺数据的差值小于所述第二预定差值的情况下,将对应的所述预定工艺编号调整为两个相同的所述工艺编号,得到第三工艺编号。

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