[发明专利]掩膜的制备方法在审

专利信息
申请号: 202111460257.1 申请日: 2021-12-02
公开(公告)号: CN114274511A 公开(公告)日: 2022-04-05
发明(设计)人: 陈炜婷 申请(专利权)人: 乐金显示光电科技(中国)有限公司
主分类号: B29C64/209 分类号: B29C64/209;B29C64/393;B33Y30/00;B33Y50/02
代理公司: 北京品源专利代理有限公司 11332 代理人: 王瑞云
地址: 510530 广东省广州市*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种掩膜的制备方法,其特征在于,包括:

建立掩膜的三维模型;

对所述三维模型进行切片处理,得到多个打印层;

根据所述打印层沿所述打印层厚度方向的投影轮廓确定镂空区域;

根据所述镂空区域将所述打印层划分为多个打印子区域,每个所述打印子区域均与所述镂空区域相邻;

根据所述打印子区域确定打印路径,其中,在同一所述打印层中,多个所述打印子区域的打印路径方向相同;

根据所述打印路径打印所述掩膜。

2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,

根据所述镂空区域将所述打印层划分为多个打印子区域,包括:

建立第一分割线和第二分割线,所述第一分割线的延伸方向平行于所述第二分割线的延伸方向,且所述第一分割线和所述第二分割线均与所述镂空区域的轮廓相切;

根据所述第一分割线和所述第二分割线将所述打印层划分为多个打印子区域。

3.根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于,

所述建立第一分割线和第二分割线,包括:

以所述打印层沿所述打印层厚度方向的投影轮廓的几何重心作为原点,建立XY坐标系;

根据所述镂空区域的轮廓建立切线Y=kX+K1作为所述第一分割线,建立直线Y=kX+K2作为所述第二分割线,其中,K1≠K2。

4.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,

相邻所述打印层中的所述打印子区域的打印路径方向相交。

5.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,

在对所述三维模型进行切片处理,得到多个打印层之前,还包括:

确定所述三维模型所需支撑面积最小的摆放方式;

根据所述摆放方式摆放所述三维模型。

6.根据权利要求5所述的制备方法,其特征在于,

确定所述三维模型所需支撑面积最小的摆放方式,包括:

建立所述三维模型的主视图、侧视图和俯视图;

获取所述三维模型分别在所述主视图、所述侧视图和所述俯视图下所需的支撑面积;

根据所需支撑面积最小的视图确定所述三维模型的摆放方式。

7.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,

在根据所述打印路径打印所述掩膜之后,还包括:

对所述掩膜进行检测;

当所述掩膜不符合设计要求时,对所述三维模型进行修改。

8.根据权利要求7所述的制备方法,其特征在于,

对所述掩膜进行检测,包括:

利用所述掩膜制备掩膜沉积图案;

将所述掩膜沉积图案与设计图案进行对比,获取所述掩膜沉积图案的尺寸与所述设计图案的尺寸之间的误差值;

当所述误差值大于或等于打印精度时,确定所述掩膜不符合设计要求。

9.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,

在建立所述掩膜的三维模型之后,还包括:

将所述三维模型保存为OML格式和/或STL格式。

10.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,

所述掩膜的打印材料包括聚乳酸或光敏树脂。

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