[发明专利]掩膜的制备方法在审
申请号: | 202111460257.1 | 申请日: | 2021-12-02 |
公开(公告)号: | CN114274511A | 公开(公告)日: | 2022-04-05 |
发明(设计)人: | 陈炜婷 | 申请(专利权)人: | 乐金显示光电科技(中国)有限公司 |
主分类号: | B29C64/209 | 分类号: | B29C64/209;B29C64/393;B33Y30/00;B33Y50/02 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 王瑞云 |
地址: | 510530 广东省广州市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 制备 方法 | ||
本发明公开一种掩膜的制备方法,包括建立掩膜的三维模型;对三维模型进行切片处理,得到多个打印层;根据打印层沿其厚度方向的投影轮廓确定镂空区域;根据镂空区域将打印层划分为多个与镂空区域相邻的打印子区域;根据打印子区域确定打印路径,其中,在同一打印层中,多个打印子区域的打印路径方向相同;根据打印路径打印掩膜。通过根据镂空区域将掩膜的打印层划分为与镂空区域相邻的多个打印子区域,并根据打印子区域确定打印路径,从而在3D打印装置根据打印路径打印掩膜时,避免打印喷嘴在镂空区域处抬起形成拉丝,提高了掩膜的打印质量;同时,还减少了打印喷嘴抬起和落下的次数,节省打印喷嘴抬起落下的时间,提高了打印效率。
技术领域
本发明实施例涉及微纳加工技术领域,尤其涉及一种掩膜的制备方法。
背景技术
掩膜作为图形化工艺中的关键用具,被广泛的应用在工业生产制造过程中。在需要进行图形化工艺时,可将包括镂空图案的掩膜放置在半成品表面,然后通过磁控溅射或其他工艺在半成品表面制备与镂空图案形状一致的膜层。
为了提高生产效率,降低生产成本,现有技术中会利用3D打印装置制备掩膜,且在3D打印装置打印掩膜时,通常采用默认打印路径。示例性的,图1为本发明实施例提供的一种掩膜的平面设计图,图2为图1中掩膜的默认打印路径示意图,图3为采用图2中默认打印路径打印出的掩膜的示意图,如图1-3所示,在3D打印装置打印掩膜10’时,3D打印装置的打印喷嘴会从起始点A’沿默认打印路径12’打印到终点B’,而掩膜10’上通常具有镂空区域11’,打印喷嘴在移动至镂空区域11’时会抬起,在镂空区域11’上方沿箭头方向空走(不进行打印),待横穿镂空区域11’后再落下,继续沿默认打印路径12’进行打印,现有技术中采用默认打印路径打印掩膜存在以下缺陷:1、打印喷嘴抬起落下的次数较多,会增加打印喷嘴抬起落下的时间,降低打印效率;2、在打印喷嘴抬起的过程中,打印材料不能立刻熔断,会存在的打印材料拉丝的问题(如拉丝区域C’),拉丝部分难以清理,从而会影响掩膜的打印质量。
发明内容
本发明的目的在于:提供一种掩膜的制备方法,以在提高打印效率的同时,提高掩膜的打印质量。
为达上述目的,本发明采用以下技术方案:
提供了一种掩膜的制备方法,包括:
建立掩膜的三维模型;
对所述三维模型进行切片处理,得到多个打印层;
根据所述打印层沿所述打印层厚度方向的投影轮廓确定镂空区域;
根据所述镂空区域将所述打印层划分为多个打印子区域,每个所述打印子区域均与所述镂空区域相邻;
根据所述打印子区域确定打印路径,其中,在同一所述打印层中,多个所述打印子区域的打印路径方向相同;
根据所述打印路径打印所述掩膜。
作为制备方法的一种优选方案,根据所述镂空区域将所述打印层划分为多个打印子区域,包括:
建立第一分割线和第二分割线,所述第一分割线的延伸方向平行于所述第二分割线的延伸方向,且所述第一分割线和所述第二分割线均与所述镂空区域的轮廓相切;
根据所述第一分割线和所述第二分割线将所述打印层划分为多个打印子区域。
作为制备方法的一种优选方案,所述建立第一分割线和第二分割线,包括:
以所述打印层沿所述打印层厚度方向的投影轮廓的几何重心作为原点,建立XY坐标系;
根据所述镂空区域的轮廓建立切线Y=kX+K1作为所述第一分割线,建立直线Y=kX+K2作为所述第二分割线,其中,K1≠K2。
作为制备方法的一种优选方案,相邻所述打印层中的所述打印子区域的打印路径方向相交。
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