[发明专利]一种基于可控硅管压降的排序方法、系统、装置及存储介质在审

专利信息
申请号: 202111461738.4 申请日: 2021-12-02
公开(公告)号: CN114253506A 公开(公告)日: 2022-03-29
发明(设计)人: 许其品;霍乾涛;冯炜;刘丽丽;吴维宁;朱宏超;袁亚洲;王晓明;郝勇;谢燕军;徐春建;史玉华;王亚婧 申请(专利权)人: 国电南瑞科技股份有限公司;国网电力科学研究院有限公司
主分类号: G06F7/08 分类号: G06F7/08;G06Q50/06
代理公司: 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 代理人: 董建林
地址: 211100 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 基于 可控硅 管压降 排序 方法 系统 装置 存储 介质
【权利要求书】:

1.一种基于可控硅管压降的排序方法,其特征在于,包括:

将参加排序的可控硅根据管压降大小生成从小到大排序的排序序列;

从排序序列中筛选出管压降最接近的可控硅生成小到大排序的筛选序列;

根据可控硅的并联桥臂交流侧的对称性对筛选序列进行排序。

2.根据权利要求1所述的一种基于可控硅管压降的排序方法,其特征在于,所述筛选序列中可控硅数量为6n,n为可控硅的并联桥臂数,所述筛选序列记为:V1,V2,V3…V6n

3.根据权利要求2所述的一种基于可控硅管压降的排序方法,其特征在于,所述并联桥臂数n为4,每个所述并联桥臂数对应一个可控硅整流柜;所述根据可控硅的并联桥臂交流侧的对称性对筛选序列进行排序包括:

若交流进线到各并联桥臂的长度相等,则:

第1个可控硅整流柜的正A相为V1,正B相为V5,正C相为V9,负A相为V16,负B相为V20,负C相为V24

第2个可控硅整流柜的正A相为V2,正B相为V6,正C相为V10,负A相为V15,负B相为V19,负C相为V23

第3个可控硅整流柜的正A相为V3,正B相为V7,正C相为V11,负A相为V14,负B相为V18,负C相为V22

第4个可控硅整流柜的正A相为V4,正B相为V8,正C相为V12,负A相为V13,负B相为V17,负C相为V21

4.根据权利要求2所述的一种基于可控硅管压降的排序方法,其特征在于,所述并联桥臂数n为2,每个所述并联桥臂数对应一个可控硅整流柜;所述根据可控硅的并联桥臂交流侧的对称性对筛选序列进行排序包括:

若交流进线到各并联桥臂的长度不相等,则:

第1个可控硅整流柜的正A相为V1,正B相为V3,正C相为V5,负A相为V7,负B相为V9,负C相为V11

第2个可控硅整流柜的正A相为V2,正B相为V4,正C相为V6,负A相为V8,负B相为V10,负C相为V12

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