[发明专利]一种基于可控硅管压降的排序方法、系统、装置及存储介质

说明书

本发明公开了一种基于可控硅管压降的排序方法、系统、装置及存储介质，其方法包括：将参加排序的可控硅根据管压降大小生成从小到大排序的排序序列；从排序序列中筛选出管压降最接近的可控硅生成小到大排序的筛选序列；根据可控硅的并联桥臂交流侧的对称性对筛选序列进行排序；本发明通过对可控硅通态压降进行合理排序，达到将通态压降对均流的影响降低到最小的目的。

技术领域

本发明涉及一种基于可控硅管压降的排序方法、系统、装置及存储介质，属于电机励磁系统技术领域。

背景技术

励磁系统中并列运行的可控硅整流柜需要有良好的均流系数，才能够保证整个系统的长期可靠运行。然而，实际工程中各种因素会导致均流效果变差。如果并列运行的各个可控硅整流柜出力严重不一致，往往影响功率单元寿命，影响强励效果，给系统长期稳定运行带来隐患。

因此，可控硅整流桥的均流问题也就越来越受到人们的重视。处理好可控硅整流桥间的均流问题，对提高励磁系统运行的可靠性，消除安全隐患，确保电力生产的安全稳定运行具有重要意义。

发明内容

本发明的目的在于克服现有技术中的不足，提供一种基于可控硅管压降的排序方法、系统、装置及存储介质，研究并联运行可控硅整流柜的均流，通过对可控硅通态压降进行合理排序，达到将通态压降对均流的影响降低到最小的目的。

为达到上述目的，本发明是采用下述技术方案实现的：

第一方面，本发明提供了一种基于可控硅管压降的排序方法，包括：

将参加排序的可控硅根据管压降大小生成从小到大排序的排序序列；

从排序序列中筛选出管压降最接近的可控硅生成小到大排序的筛选序列；

根据可控硅的并联桥臂交流侧的对称性对筛选序列进行排序。

可选的，所述筛选序列中可控硅数量为6n，n为可控硅的并联桥臂数，所述筛选序列记为：V₁，V₂，V₃…V_6n。

可选的，所述并联桥臂数n为4，每个所述并联桥臂数对应一个可控硅整流柜；所述根据可控硅的并联桥臂交流侧的对称性对筛选序列进行排序包括：

若交流进线到各并联桥臂的长度相等，则：

第1个可控硅整流柜的正A相为V₁，正B相为V₅，正C相为V₉，负A相为 V₁₆，负B相为V₂₀，负C相为V₂₄；

第2个可控硅整流柜的正A相为V₂，正B相为V₆，正C相为V₁₀，负A相为V₁₅，负B相为V₁₉，负C相为V₂₃；

第3个可控硅整流柜的正A相为V₃，正B相为V₇，正C相为V₁₁，负A相为V₁₄，负B相为V₁₈，负C相为V₂₂；

第4个可控硅整流柜的正A相为V₄，正B相为V₈，正C相为V₁₂，负A相为V₁₃，负B相为V₁₇，负C相为V₂₁。

可选的，所述并联桥臂数n为2，每个所述并联桥臂数对应一个可控硅整流柜；所述根据可控硅的并联桥臂交流侧的对称性对筛选序列进行排序包括：

若交流进线到各并联桥臂的长度不相等，则：