[发明专利]一种驰豫铁电单晶生长用原料的制备方法

权利要求书

1.一种驰豫铁电单晶生长用原料的制备方法，包含以下步骤：

将纳米粉体分散在水中，混合均匀形成浆料，所述浆料通过冷冻干燥制备纳米粉体团聚体；

将所述纳米粉体团聚体与微米粉体混合，获得混合粉体；

将所述混合粉体进行高温煅烧，获得驰豫铁电单晶生长用原料。

2.根据权利要求1的制备方法，其中，所述纳米粉体选自含MgO纳米粉体和In₂O₃纳米粉体中的至少一种以及Nb₂O₅纳米粉体，所述微米粉体选自TiO₂微米粉体和PbO微米粉体。

3.根据权利要求2所述的制备方法，其中，所述Nb₂O₅纳米粉体的粒径Dv₉₀为50-100nm，所述含MgO纳米粉体的粒径D_V90为20-50nm，所述In₂O₃纳米粉体的粒径D_V90为20-30nm；所述PbO微米粉体的粒径D_V90为5-10μm，TiO₂微米粉体的粒径D_V90为1-3μm。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其中，所述浆料的固含量为60wt％-80wt％。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其中，所述浆料还包含粘结剂和分散剂，所述粘结剂选自聚乙烯醇、聚乙烯醇缩丁醛中的至少一种，所述粘结剂的加入量为浆料的0.02wt％-0.40wt％；所述分散剂选自聚丙烯酸、聚丙烯酰胺和聚乙烯吡咯烷酮中的至少一种。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其中，所述纳米粉体团聚体的颗粒尺寸为0.01-2mm。

7.根据权利要求1所述的制备方法，其中，所述驰豫铁电单晶生长用原料为生长PMN-PT的原料，所述方法包含以下步骤：

将含MgO纳米粉体、Nb₂O₅纳米粉体、粘结剂和分散剂加入水中，混合均匀，获得浆料，将所述浆料通过冷冻干燥制备纳米粉体团聚体；

将所述纳米粉体团聚体与PbO微米粉体和TiO₂微米粉体混合，获得混合粉体；

将所述混合粉体进行高温煅烧，获得PMN-PT单晶生长用原料；煅烧温度为1000-1100℃，煅烧时间为1-2h。

8.根据权利要求7所述的制备方法，其中，所述混合粉体中MgO:Nb₂O₅:PbO:TiO₂的重量比为1:6.6:23-26:2.2-3.3。

9.根据权利要求1所述的制备方法，其中，所述驰豫铁电单晶生长用原料为生长PIN-PMN-PT的原料，所述方法包含以下步骤：

将含MgO纳米粉体、Nb₂O₅纳米粉体、粘结剂和分散剂加入水中，混合均匀，获得浆料a，将所述浆料a通过冷冻干燥制备纳米粉体团聚体a；

将In₂O₃纳米粉体、Nb₂O₅纳米粉体、粘结剂和分散剂加入水中，混合均匀，获得浆料b，将所述浆料b通过冷冻干燥制备纳米粉体团聚体b；

将所述纳米粉体团聚体a，所述纳米粉体团聚体b与PbO微米粉体和TiO₂微米粉体混合，获得混合粉体；

将所述混合粉体进行高温煅烧，获得PIN-PMN-PT单晶生长用原料；煅烧温度为1000-1100℃，煅烧时间为1-2h。

10.根据权利要求9的制备方法，其中，所述混合粉体中MgO:Nb₂O₅:In₂O₃:PbO:TiO₂的重量比为1:8.42-10.73:1.90-4.30:32.0-47.5:3.2-6.1。