[发明专利]FVF结构开环型参考电压驱动电路

权利要求书

1.一种FVF结构开环型参考电压驱动电路，其特征在于，包括：第一运算放大器（OPA1）、第一PMOS管（M11）、第二PMOS管（M12）、第三PMOS管（M2）、第四PMOS管（M1）、第五PMOS管（M6）、第六PMOS管（M4）、第一恒定电流源（I2）、第二恒定电流源（I3）、第一NMOS管（M3）、第二NMOS管（M5）、第三NMOS管（M7）、第四NMOS管（M8）、第五NMOS管（M9）、第六NMOS管（M10）、第一电阻（R1）和第一电容（C1），其中，

所述第一运算放大器（OPA1）的反相输入端外接参考电压输入，同相输入端连接第三PMOS管（M2）的漏极；

所述第一PMOS管（M11）的源极外接电源，栅极连接所述第一运算放大器（OPA1）的输出端，漏极连接所述第二PMOS管（M12）的源极；

所述第二PMOS管（M12）的栅极和漏极相接，栅极通过串接的第一电阻（R1）和第一电容（C1）接地，漏极连接所述第四NMOS管（M8）的漏极；

所述第三NMOS管（M7）、第四NMOS管（M8）、第五NMOS管（M9）和第六NMOS管（M10）各自的源极接地，各自的栅极相接；

所述第三NMOS管（M7）的栅极连接漏极，漏极接收偏置电流；

所述第一电阻（R1）和第一电容（C1）的相接端连接所述第四PMOS管（M1）和第六PMOS管（M4）各自的栅极；

所述第三PMOS管（M2）的源极连接电源，栅极连接所述第一NMOS管（M3）的漏极，漏极连接所述第四PMOS管（M1）的源极；

所述第四PMOS管（M1）漏极连接所述第五NMOS管（M9）的漏极；

所述第一NMOS管（M3）的漏极通过所述第一恒定电流源（I2）连接电源，源极连接所述第五NMOS管（M9）的漏极；

所述第五PMOS管（M6）的源极连接电源，栅极连接所述第二NMOS管（M5）的漏极，漏极连接所述第六PMOS管（M4）的源极并作为输出端；

所述第二NMOS管（M5）通过第二恒定电流源（I3）连接电源，源极连接所述第六NMOS管（M10）的漏极；

所述第六PMOS管（M4）的漏极连接所述第六NMOS管（M10）的漏极；

所述第一NMOS管（M3）和第二NMOS管（M5）各自的栅极外接直流电压偏置VB1。

2.根据权利要求1所述的FVF结构开环型参考电压驱动电路，其特征在于，还包括：第一补偿电容（C2）、第二补偿电容（C3）和第三补偿电容（C4），其中，

所述第一补偿电容（C2）的一端外接电源，另一端连接所述第一运算放大器（OPA1）的输出端；

所述第二补偿电容（C3）两端连接所述第三PMOS管（M2）的源极和栅极；

所述第三补偿电容（C4）两端连接所述第五PMOS管（M6）的源极和栅极。