[发明专利]FVF结构开环型参考电压驱动电路在审
申请号: | 202111468096.0 | 申请日: | 2021-12-03 |
公开(公告)号: | CN114244370A | 公开(公告)日: | 2022-03-25 |
发明(设计)人: | 郑锐 | 申请(专利权)人: | 灿芯半导体(上海)股份有限公司 |
主分类号: | H03M1/46 | 分类号: | H03M1/46 |
代理公司: | 上海湾谷知识产权代理事务所(普通合伙) 31289 | 代理人: | 倪继祖 |
地址: | 201203 上海市浦东新区自由*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | fvf 结构 开环 参考 电压 驱动 电路 | ||
本发明公开了一种FVF结构开环型参考电压驱动电路,包括:第一运算放大器、第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管、第六PMOS管、第一恒定电流源、第二恒定电流源、第一NMOS(N型场效应管)管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第六NMOS管、第一电阻和第一电容。本发明能够在低电源电压供电的工作情况下,提供具有很强驱动能力的参考电压,有利于逐次逼近模拟‑数字转换器中电容数字‑模拟转换阵列参考电压的高速切换,使CDAC参考电压的稳定时间得到极大的节省,提高异步逐次逼近模拟‑数字转换器的工作速度。
技术领域
本发明涉及参考电压驱动电路。
背景技术
逐次逼近模拟-数字转换器(SAR-ADC)具有结构简单、功耗低、面积小和易于集成等特点,广泛应用于中等精度(8~16位)中等速度(150Msps)领域。
常规SAR-ADC的时钟控制都是同步方式,即外部接入一个时钟,而片内的采样、转换、存储、输出的每一个步骤都由外部时钟定义。外部时钟的精度要与SAR-ADC 的采样精度匹配。除了需要保证时钟源的纯净,还要对时钟到芯片内部各个环节的噪声都非常小心。此外,高速的时钟频率需要片内的逻辑门有很强的驱动能力,这意味着很大的功耗。对于高速SAR-ADC 来说,做到 100MS/s 以上的速度,10 位以上的精度,采用同步控制是非常的不经济,难度也非常大。
异步时钟控制是近年来 SAR-ADC 提速的最重要的系统级解决方案。SAR-ADC 自身有一些特点,比如采样对时钟精度要求高,但转换对时钟精度几乎没有要求,刚好给异步时钟提供了发挥优势的空间。控制电路需要的脉冲自己产生,异步时钟控制放弃了同步时钟的分频操作,而是采用跟采样频率一样的外部时钟,把时钟分割成采样和转换两阶段。转换时系统对操作时钟边沿没有要求,把转换做成异步触发,用比较器触发 SAR 逻辑,SAR逻辑带动数字-模拟转换阵列(DAC Array)的方式完成N次比较。最后 N 个依次完成但未对齐时钟的数据通过同步方式输出结果。
异步SAR-ADC的基本结构如图2所示,外部时钟信号经过时钟发生电路产生采样时钟CLKsample。采样时钟对输入差分信号INP、 INN进行采样后,由高速比较器比较,并通过异或产生Ready信号输入到多相位时钟发生器和逐次逼近逻辑组成的高速数字电路,一方面产生一个时钟信号通过延迟链给比较器提供比较时钟,另一方面经过DAC控制电路对SAR-ADC的开关电容阵列进行控制。
DAC的参考电压由外部带隙基准源(BG)经过参考电压驱动器(VREF BUF)产生。由于带隙基准源的驱动能力往往很弱,无法直接驱动DAC的参考电压,异步SAR-ADC内部时钟远远高于同步SAR-ADC的工作频率,为了减小DAC参考电压的稳定时间(settling time),需要一个具有很强驱动能力的参考电压驱动器。FVF结构(Flipped voltage follower,翻转电压跟随器)是一种常用的驱动方式,由于它的输出级工作在局部闭环模式(主极点在极高频),它具有很低的输出阻抗,具有很强的驱动能力。
传统的异步逐次逼近模拟-数字转换器(SAR-ADC)所用的FVF(Flipped voltagefollower,翻转电压跟随器)参考电压驱动器结构如图3所示,VIN是参考电压的输入,来源于带隙基准源(BGR),因此VIN随工艺、电源电压、温度的变化幅度很小。由运放OPA和MOS管M13组成的参考电压闭环通路使MOS管M13源极电压输出能够稳定的跟随VIN,电容C1是环路稳定补偿电容。MOS管M13、M14组成翻转电压跟随器结构,可以使MOS管M13源极输出阻抗很小。MOS管M15、M16是M13、M14相同结构的FVF复制电路,因此VREF_OUT作为整个驱动器的输出与VIN保持一致。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于灿芯半导体(上海)股份有限公司,未经灿芯半导体(上海)股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202111468096.0/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。