[发明专利]具有凹槽的载板的制备方法在审
| 申请号： | 202111468646.9 | 申请日： | 2021-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN114267595A | 公开（公告）日： | 2022-04-01 |
| 发明（设计）人： | 严立巍;符德荣;李景贤 | 申请（专利权）人： | 绍兴同芯成集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48 |
| 代理公司： | 工业和信息化部电子专利中心 11010 | 代理人： | 华枫 |
| 地址： | 312000 浙江省绍兴*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 凹槽 制备 方法 | ||
1.一种具有凹槽的载板的制备方法，其特征在于，包括：
S100，采用激光切割方法，在载板上表面的预设区域内进行切割，形成多根立柱；
S200，采用蚀刻液对预设区域内的多根所述立柱进行蚀刻，至多根所述立柱被蚀刻掉预设量，采用揭开剥离工艺使多根所述立柱从所述玻板分离，以在所述预设区域处形成凹槽。
2.根据权利要求1所述的具有凹槽的载板的制备方法，其特征在于，所述方法还包括：
S300，在所述凹槽的底壁设置多个贯穿所述凹槽底壁的通孔。
3.根据权利要求1所述的具有凹槽的载板的制备方法，其特征在于，所述激光切割方法采用飞秒激光切割方法，所述载板为玻璃载板、石英载板或硅载板。
4.根据权利要求3所述的具有凹槽的载板的制备方法，其特征在于，当所述载板为玻璃载板时，所述蚀刻液采用氢氟酸或KOH溶液。
5.根据权利要求1所述的具有凹槽的载板的制备方法，其特征在于，所述立柱被蚀刻掉预设量为：所述立柱被蚀刻的部分超过所述立柱厚度的一半。
6.根据权利要求1所述的具有凹槽的载板的制备方法，其特征在于，将所述载板的上表面置入所述蚀刻液，使所述蚀刻液浸没多根所述立柱的至少部分，以对所述立柱进行蚀刻并移除多根所述立柱。
7.根据权利要求1所述的具有凹槽的载板的制备方法，其特征在于，将所述载板整体浸没至所述蚀刻液，以对所述立柱进行蚀刻并移除多根所述立柱。
8.根据权利要求1所述的具有凹槽的载板的制备方法，其特征在于，所述立柱的高度范围为150μm-250μm，所述立柱的厚度范围为30μm-50μm，相邻的立柱间的距离范围为8μm-12μm。
9.根据权利要求1所述的具有凹槽的载板的制备方法，其特征在于，在所述载板上制备的凹槽的数量为多个，所述凹槽的形状包括：圆形、方形、多边形及网格中的至少一种。
10.根据权利要求1-9中任一项所述的具有凹槽的载板的制备方法，其特征在于，多根所述立柱的高度、厚度及相邻立柱间的间隔均一致。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
