[发明专利]具有凹槽的载板的制备方法在审
申请号: | 202111468646.9 | 申请日: | 2021-12-03 |
公开(公告)号: | CN114267595A | 公开(公告)日: | 2022-04-01 |
发明(设计)人: | 严立巍;符德荣;李景贤 | 申请(专利权)人: | 绍兴同芯成集成电路有限公司 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48 |
代理公司: | 工业和信息化部电子专利中心 11010 | 代理人: | 华枫 |
地址: | 312000 浙江省绍兴*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 凹槽 制备 方法 | ||
本发明提出了一种具有凹槽的载板的制备方法,包括:S100,采用激光切割方法,在载板上表面的预设区域内进行切割,形成多根立柱;S200,采用蚀刻液对预设区域内的多根立柱进行蚀刻,至多根立柱被蚀刻掉预设量,采用揭开剥离工艺使多根立柱从载板分离,以在预设区域处形成凹槽。根据本发明的具有凹槽的载板的制备方法,先采用激光工业在载板的预设区域加工形成多根立柱,然后采用蚀刻液对多根立柱进行蚀刻,再结合揭开剥离工艺将立柱从载板脱离,完成载板的凹槽制备。该方法操作简单、加工效率高,且可以方便地实现薄壁凹槽的加工制备。
技术领域
本发明涉及芯片制备技术领域,尤其涉及一种具有凹槽的载板的制备方法。
背景技术
芯片制备过程中,通常需要将芯片贴附至载板上,以对芯片进行支撑和固定。为了提高载板固定芯片的便利性和可靠性,通常需要用到具有凹槽的载板。现有技术中,加工具有凹槽的载板工艺繁琐复杂,且难以加工槽壁较薄的载板。
发明内容
本发明要解决的技术问题是如何提高具有凹槽的载板加工的便利性和效率,及实现具有薄壁凹槽载板的制备,本发明提出了一种具有凹槽的载板的制备方法。
根据本发明实施例的具有凹槽的载板的制备方法,包括:
S100,采用激光切割方法,在载板上表面的预设区域内进行切割,形成多根立柱;
S200,采用蚀刻液对预设区域内的多根所述立柱进行蚀刻,至多根所述立柱被蚀刻掉预设量,采用揭开剥离工艺使多根所述立柱从所述载板分离,以在所述预设区域处形成凹槽。
根据本发明实施例的具有凹槽的载板的制备方法,先采用激光工业在载板的预设区域加工形成多根立柱,然后采用蚀刻液对多根立柱进行蚀刻,再结合揭开剥离工艺将立柱从载板脱离,完成载板的凹槽制备。该方法操作简单、加工效率高,且可以方便地实现薄壁凹槽的加工制备。
根据本发明的一些实施例,所述方法还包括:
S300,在所述凹槽的底壁设置多个贯穿所述凹槽底壁的通孔。
在本发明的一些实施例中,所述激光切割方法采用飞秒激光切割方法,所述载板为玻璃载板、石英载板或硅载板。
在本发明的一些实施例中,当所述载板为玻璃载板时,所述蚀刻液采用氢氟酸或KHO溶液。
根据本发明的一些实施例,所述立柱被蚀刻掉预设量为:所述立柱被蚀刻的部分超过所述立柱厚度的一半。
在本发明的一些实施例中,将所述载板的上表面置入所述蚀刻液,使所述蚀刻液浸没多根所述立柱的至少部分,以对所述立柱进行蚀刻并移除多根所述立柱。
根据本发明的一些实施例,将所述载板整体浸没至所述蚀刻液,以对所述立柱进行蚀刻并移除多根所述立柱。
在本发明的一些实施例中,所述立柱的高度范围为150μm-250μm。
根据本发明的一些实施例,所述立柱的厚度范围为30μm-50μm。
在本发明的一些实施例中,相邻的立柱间的距离范围为8μm-12μm。
在本发明的一些实施例中,在所述载板上制备的凹槽的数量为多个,所述凹槽的形状包括:圆形、方形、多边形及网格中的至少一种。
根据本发明的一些实施例,多根所述立柱的高度、厚度及相邻立柱间的间隔均一致。
附图说明
图1为根据本发明实施例的具有凹槽的载板的制备方法流程图;
图2为根据本发明实施例的载板制备凹槽前的剖视图;
图3为根据本发明实施例的载板上制备多根立柱后的剖视图;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造