[发明专利]一种发光二极管的制作方法及发光二极管

权利要求书

1.一种发光二极管的制作方法，其特征在于，包括：

提供一衬底；

在所述衬底上形成半导体外延结构；

将所述半导体外延结构浸泡到溶液中，以溶液沉积的方式在所述半导体外延结构上形成钝化层，且所述钝化层包括重复性层叠设置的氧化硅薄膜和氧化钛薄膜；以及

在所述钝化层上形成电极，且所述电极与所述半导体外延结构电性连接；

其中，所述钝化层的形成步骤包括：

将所述半导体外延结构浸泡在第一溶液中，以生成所述氧化硅薄膜；以及

将带有所述氧化硅薄膜的所述半导体外延结构浸泡在第二溶液中，以生成所述氧化钛薄膜。

2.如权利要求1所述的发光二极管的制作方法，其特征在于，所述第一溶液包括硅源和氟离子消耗剂。

3.如权利要求2所述的发光二极管的制作方法，其特征在于，所述硅源为氟硅酸铵或氯硅酸铵中的一种或组合。

4.如权利要求2所述的发光二极管的制作方法，其特征在于，所述氟离子消耗剂为硼酸或铝中的一种或组合。

5.如权利要求1所述的发光二极管的制作方法，其特征在于，所述第二溶液包括钛源，且所述钛源为氟钛酸铵或氯钛酸铵中的一种或组合。

6.如权利要求1所述的发光二极管的制作方法，其特征在于，重复生长所述氧化硅薄膜和所述氧化钛薄膜的步骤包括：在生长每一层薄膜前，将所述半导体外延结构放入清洗液中清洗。

7.如权利要求1所述的发光二极管的制作方法，其特征在于，所述钝化层形成后进行高温退火，且所述高温退火包括以下步骤：

将带有所述钝化层的所述衬底放入反应室内；以及

将所述钝化层退火。

8.一种根据权利要求1-7任意一项所述的发光二极管的制作方法制作的发光二极管，其特征在于，包括：

衬底；

半导体外延结构，设置在所述衬底上；

钝化层，设置在所述半导体外延结构上，且所述钝化层包括重复性层叠设置的氧化硅薄膜和氧化钛薄膜；以及

电极，设置在所述钝化层上，且与所述半导体外延结构电性连接。