[发明专利]一种发光二极管的制作方法及发光二极管

说明书

本发明公开了一种发光二极管的制作方法及发光二极管，且发光二极管的制作方法至少包括：提供一衬底；在所述衬底上形成半导体外延结构；在所述半导体外延结构上形成钝化层，且所述钝化层包括重复性层叠设置的氧化硅薄膜和氧化钛薄膜；以及在所述钝化层上形成电极，且所述电极与所述半导体外延结构电性连接。通过本发明提供的一种发光二极管的制作方法及发光二极管，可提高发光二极管的性能。

技术领域

本发明属于半导体制作技术领域，特别涉及一种发光二极管的制作方法及发光二极管。

背景技术

在发光二极管制程中，常使用氧化硅或氮化硅等绝缘层作为刻蚀掩膜层、电流阻挡层、钝化层或介质隔离层等，在发光二极管中根据具体结构进行选择氧化硅(SiO₂)或氮化硅(SiN_x)等绝缘层。

在发光二极管制作过程中，常采用等离子体气相沉积(Plasma EnhancedChemical Vapor Deposition，PECVD)来制备氧化硅或氮化硅膜层。在使用微波或者高频电场时，会产生高能量离子。高能量离子轰击到发光二极管上，造成发光二极管产生损伤，影响发光二极管的性能。

因此，如何防止沉积绝缘层时对发光二极管的损伤是亟需解决的问题。

发明内容

鉴于上述现有技术的不足，本申请的目的在于提供一种发光二极管的制作方法及发光二极管，旨在解决在沉积绝缘物质时对发光二极管损伤的问题。

为解决上述技术问题，本发明是通过以下技术方案实现的：

本发明提供一种发光二极管的制作方法，其至少包括：

提供一衬底；

在所述衬底上形成半导体外延结构；

在所述半导体外延结构上形成钝化层，且所述钝化层包括重复性层叠设置的氧化硅薄膜和氧化钛薄膜；以及

在所述钝化层上形成电极，且所述电极与所述半导体外延结构电性连接。

可选地，所述氧化硅薄膜的形成方法包括：将所述半导体外延结构浸泡在第一溶液中，以生成所述氧化硅薄膜。

上述钝化层的制作方法，通过溶液沉积方式，在半导体外延结构上形成钝化层，在形成过程中，不产生高活性的氢自由基，可减少高活性的氢自由基对半导体外延结构的损伤，提高制备的半导体器件的性能。

可选地，述第一溶液包括硅源和氟离子消耗剂。

可选地，所述硅源为氟硅酸铵或氯硅酸铵中的一种或组合。

可选地，所述氟离子消耗剂为硼酸或铝中的一种或组合。

可选地，所述氧化钛薄膜的形成方法包括：将带有所述氧化硅薄膜的所述半导体外延结构浸泡在第二溶液中，以生成所述氧化钛薄膜。

上述第一溶液和第二溶液中加入氟离子消耗剂，可以与硅源或钛源水解产出的氟离子反应，以促进氧化硅或氧化钛的析出，沉积具有一定厚度的氧化硅薄膜或氧化钛薄膜。

可选地，所述第二溶液包括钛源，且所述钛源为氟钛酸铵或氯钛酸铵中的一种或组合。

上述钝化层的制作方法，通过控制溶液中的物质和反应条件，可控制钝化层的厚度，工艺简单，且不需要复杂的设备或仪器，节约成本。

可选地，重复生长所述氧化硅薄膜和所述氧化钛薄膜的步骤包括：在生长每一层薄膜前，将所述半导体外延结构放入清洗液中清洗。

上述通过形成每一层薄膜前，对半导体外延结构进行清洗，去除表面残留溶液，以防止反应溶液的污染，提高沉积复合薄膜的质量。

可选地，所述钝化层形成后进行高温退火，且所述高温退火包括以下步骤：