[发明专利]芯片局部涂覆装置在审
申请号: | 202111473541.2 | 申请日: | 2021-11-29 |
公开(公告)号: | CN114203592A | 公开(公告)日: | 2022-03-18 |
发明(设计)人: | 赵东艳;王于波;单书珊;陈燕宁;董广智;钟明琛;宋彦斌;吴峰霞;刘春颖;鹿祥宾;刘波 | 申请(专利权)人: | 北京芯可鉴科技有限公司;北京智芯微电子科技有限公司;国网信息通信产业集团有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;G02B21/26;G02B21/24;G02B21/06 |
代理公司: | 北京润平知识产权代理有限公司 11283 | 代理人: | 李红 |
地址: | 102200 北京市昌平区*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 芯片 局部 装置 | ||
本发明实施例提供一种芯片局部涂覆装置,属于芯片分析处理设备技术领域,所述装置包括:机箱、涂覆装置、载物台和显微镜,所述机箱的一侧开设有涂覆作业口,所述涂覆装置包括涂覆探针,所述涂覆装置安装在所述机箱内部,且所述涂覆探针从所述涂覆作业口伸出至所述机箱外部,所述显微镜和所述载物台固定安装在所述涂覆作业口上下两侧的机箱上,且所述载物台位于所述涂覆作业口的下方,所述显微镜位于所述涂覆作业口的上方。通过涂覆装置在芯片坑洼或层数较少的部位涂覆覆盖材料,利用覆盖材料的遮挡性和粘附性对芯片坑洼或层数较少的部位形成保护膜,以实现在干法刻蚀和湿法刻蚀去层过程中仅将层数多的部位进行去层,使芯片处于同一层次。
技术领域
本发明涉及芯片分析处理设备技术领域,具体地涉及一种芯片局部涂覆装置。
背景技术
芯片主要是由是器件层加各层金属层及介质层构成的,芯片去层分析分析主要应用于芯片失效分析以及反向工程,芯片去层分析主要包括钝化层/绝缘层去除、铝线/铜线去除、阻挡层去除、介质层刻蚀等具体技术手段,其中去层技术需要完整地逐层去除金属线和金属线之间绝缘层,恰到好处地将下一层金属线暴露出来,有时还需要保留金属线之间的过孔(Via hole),或者去除粘附层,是失效分析中一项具有挑战性的技术。芯片去层过程中由于磨抛不均匀性或者金属反应不当,导致芯片金属层处于不同层次,即称为:“错层”。错层出现后,在芯片反向分析时,影响芯片整体电路分析;在芯片失效分析时,会导致芯片失效无法同步观察,易错失关键信息。芯片面积自身比较小,操作空间有限,并且金属层和介质层为100nm-1um之间,纵向可承受磨抛的空间亦很小。因此芯片在去层的过程中一旦遇到错层,现有技术的情况下几乎是完全无法补救。
发明内容
本发明实施例的目的是提供一种芯片局部涂覆装置,该装置使用显微镜放大作为观察手段,通过涂覆装置在芯片坑洼或层数较少的部位涂覆覆盖材料,利用覆盖材料的遮挡性和粘附性对芯片坑洼或层数较少的部位形成保护膜,以实现在干法刻蚀和湿法刻蚀去层过程中仅将层数多的部位进行去层,使芯片处于同一层次。
为了实现上述目的,本发明实施例提供一种芯片局部涂覆装置,所述装置包括:机箱、涂覆装置、载物台和显微镜,所述机箱的一侧开设有涂覆作业口,所述涂覆装置包括涂覆探针,所述涂覆装置安装在所述机箱内部,且所述涂覆探针从所述涂覆作业口伸出至所述机箱外部,所述显微镜和所述载物台均固定安装在所述机箱上,且所述载物台位于所述涂覆作业口的下方,所述显微镜位于所述涂覆作业口的上方。
可选的,所述涂覆装置还包括蠕动泵和硅脂储存罐;
所述硅脂储存罐通过硅脂传输管与蠕动泵的进料口连通,所述蠕动泵的出料口通过硅脂传输管与涂覆探针的进料口连通。硅脂存储罐用于存储用于涂覆芯片坑洼或层数较少的部位的硅脂,蠕动泵向涂覆探针供给硅脂,实现探针出料。
可选的,所述涂覆装置还包括涂覆控制按钮,所述涂覆控制按钮通过线缆连接到所述蠕动泵的控制端,用于控制所述蠕动泵执行相应的动作。
可选的,所述显微镜包括固定架、显微镜本体、光源组件、目镜和物镜;
所述显微镜本体通过固定架固定在所述机箱上,所述物镜固定安装在所述显微镜本体的底部,所述目镜固定安装在所述显微镜本体的上部,所述光源组件固定在所述物镜上。固定在机箱上的显微镜能够实现30-100倍的放大,便于涂覆过程中清晰观察到涂覆位置和涂覆状态。
可选的,所述光源组件为环形LED灯组件。
可选的,所述载物台包括竖直方向上层叠设置的载物板、支架和底板;
所述载物板通过第一移动组件与支架连接,使得载物板能够在垂直于支架的方向上水平移动;
所述支架通过第二移动组件与底板连接,使得支架能够在平行于支架的方向上水平移动,从而带动所述载物板在平行于支架的方向上水平移动;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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