[发明专利]半导体结构的形成方法在审
| 申请号： | 202111473641.5 | 申请日： | 2021-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN116192075A | 公开（公告）日： | 2023-05-30 |
| 发明（设计）人： | 时亚南;齐飞 | 申请（专利权）人： | 中芯集成电路（宁波）有限公司 |
| 主分类号： | H03H3/02 | 分类号： | H03H3/02;H03H3/08 |
| 代理公司： | 上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327 | 代理人： | 吴凡 |
| 地址： | 315800 浙江省宁波市北*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 形成 方法 | ||
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：
提供衬底，所述衬底包括工作区和互连区，所述工作区的所述衬底上形成有器件结构；
在所述器件结构的顶部、以及所述互连区的所述衬底的顶部形成互连层，所述互连区的互连层与所述器件结构电连接；
在所述互连区的所述互连层的顶部形成保护层；
形成所述保护层之后，去除所述器件结构顶部的所述互连层；
去除所述器件结构顶部的所述互连层之后，去除所述保护层。
2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，去除所述器件结构顶部的所述互连层的步骤包括：在所述互连区的所述保护层的顶部形成掩膜层；以所述掩膜层为掩膜，去除所述器件结构顶部的所述互连层；去除所述器件结构顶部的所述互连层之后，去除所述掩膜层。
3.如权利要求1或2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述互连区的所述互连层的顶部形成保护层的步骤中，所述保护层还形成在所述工作区的所述互连层的顶部；
去除所述器件结构顶部的所述互连层的步骤中，还包括：去除所述工作区的所述保护层。
4.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用干法刻蚀工艺，去除所述保护层。
5.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述提供衬底的步骤中，所述器件结构的顶部还形成有钝化层；
去除所述器件结构顶部的所述互连层的步骤中，以所述钝化层的顶部作为刻蚀停止位置。
6.如权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述形成方法还包括：进行钝化层减薄处理，去除部分厚度的所述钝化层；
利用所述减薄处理去除所述保护层。
7.如权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述钝化层减薄处理的步骤包括：以无掩膜方式，刻蚀所述保护层和钝化层。
8.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，去除所述器件结构顶部的所述互连层的工艺包括干法刻蚀工艺。
9.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述掩膜层的材料包括光刻胶、旋涂碳和旋涂玻璃中的一种或多种。
10.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，去除所述掩膜层的工艺包括湿法工艺或者干法刻蚀工艺。
11.如权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，进行钝化层减薄处理的步骤中，去除的所述钝化层的厚度与去除的所述保护层的厚度比值为850：800至1200：1000。
12.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述保护层的步骤中，所述保护层的厚度为100埃至1000埃。
13.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述保护层的材料为钛、氮化钛、氮化铝和钼中的一种或多种。
14.如权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述钝化层的材料为氮化硅、氧化硅和磷硅玻璃中的一种或多种。
15.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述互连层的材料包括Cu、AlCu合金、Au和SnCu合金中的一种或多种。
16.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述器件结构包括SMR、FBAR和SAW滤波器中的一种或多种。
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