[发明专利]一种碱性微蚀粗化液及电路板引线粗化方法

说明书

本发明提供一种碱性微蚀粗化液及电路板引线粗化方法，碱性微蚀粗化液包括A溶液和B溶液，所述A溶液组分包括醇胺、有机酸、缓蚀剂、表面活性剂和水溶液；所述B溶液组分包括醇胺、有机酸、有机铜、缓蚀剂、表面活性剂和水溶液。在电路板引线粗化方法中使用碱性微蚀粗化液能够对线路板线路的表面进行微蚀粗化，且不会与线路板引线表面银、镍反应而使银、镍表面变色、发黑，提高芯片打线焊接的可靠性以及芯片成型的可靠性，并简化了工艺流程。

技术领域

本发明涉及铜表面微蚀粗化技术领域，尤其涉及一种碱性微蚀粗化液及电路板引线粗化方法。

背景技术

引线框架是半导体封装的基础材料，其作为集成电路的芯片载体，借助于键合材料(金丝、铝丝、铜丝)实现芯片内部电路引出端与外引线的电气连接，形成电气回路的关键结构件，起到和外部导线连接的桥梁作用。其主要功能就是为电路连接、散热、机械支撑等作用。随着电子产品向小而精的方向发展，镀银、镀镍引线框架的应用也越来越广。镀银可以提高引线框架的焊接和导电性能，且银的反光性能高，可以有效提升产品亮度(主要LED产品)。镀镍可以提升引线框架表面硬度，抛光性能，同时提高引线框架在空气中的稳定性。

为了提高电路板芯片打线焊接和成型的可靠性，需要使用微蚀粗化液对引线框架进行粗化步骤，而传统的微蚀粗化液主要为有机酸体系或硫酸—双氧水体系两类，这两类微蚀粗化液都会和银、镍反应，生成氧化银(Ag2O)、三氧化二镍(Ni2O3)，导致引线框架线路上的银、镍表面变色、发黑，焊接性能、导电性能下降。因此，传统的微蚀粗化只能放在镀银(镀镍)之前的流程，这种工艺主要的弊端在于无法处理引线框架在粗化后各工序中产生的水印、氧化及污渍。

发明内容

本发明解决的技术问题是提供一种可对铜表面进行微蚀、粗化的同时，又不会对铜表面的银、镍晶氧化反应的碱性微蚀粗化液，使用碱性微蚀粗化液的电路板引线粗化方法，可以清洁前工序线路表面(银面、镍面等)产生的水印、氧化及污渍。

为解决上述技术问题，本发明提供的一种碱性微蚀粗化液，包括A溶液和B溶液，所述A溶液组分包括(质量百分比浓度)醇胺10％-40％、有机酸2％-8％、缓蚀剂0.1％-1％、表面活性剂0.1％-0.3％和水溶液51％-86％；

所述B溶液组分包括(质量百分比浓度)醇胺10％-40％、有机酸2％-8％、有机铜1.8％-10％、缓蚀剂0.1％-1％、表面活性剂0.1％-0.3％和水溶液42％-86％。

进一步的，所述醇胺为一乙醇胺、N-甲基一乙醇胺、二乙醇胺、N-甲基二乙醇胺、三乙醇胺的一种或两种及以上的混合物。

进一步的，所述有机酸为甲酸、乙酸、丙酸、丙烯酸、乙醇酸、乳酸、苹果酸、柠檬酸、甲基磺酸中的一种或两种及以上的混合物。

进一步的，所述有机铜为甲酸铜、乙酸铜、丙酸铜、丙烯酸铜、乙醇酸铜、乳酸铜、苹果酸铜、柠檬酸铜、甲基磺酸铜中的一种或两种及以上的混合物。

进一步的，所述缓蚀剂为唑类化合物。

进一步的，所述缓蚀剂为巯基苯并咪唑(MBI)、巯基苯并恶唑(MBO)、1-苯基-5-巯基四氮唑(PMTA)中的一种或两种及以上的混合物。

进一步的，所述表面活性剂为α-烯基磺酸钠。

本申请还提供了一种使用上述碱性微蚀粗化液的电路板引线粗化方法，所述方法包括以下步骤：

清洁，使用化学清洁或磨刷对电路板进行清洁；

第一次水洗，将清洁后的电路板在室温下使用二级以上逆流水洗，水洗时长不少于15s；

粗化，经过第一次水洗的电路板放置在粗化设备的主槽内，添加B溶液在主槽内，再添加A溶液至主槽内，电路板表面进行粗化微蚀，粗化时长为20s～50s，粗化温度为15℃～35℃；