[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

基板；

第一半导体层，设置于该基板上，且具有第一部；

第一绝缘层，设置于该第一半导体层上；

第一导电层，设置于该第一绝缘层上，且具有第一部；

第二绝缘层，设置于该第一导电层上；

第二半导体层，设置于该第二绝缘层上，且具有第一部，其中该第一半导体层的该第一部、该第一导电层的该第一部及该第二半导体层的该第一部沿着远离该基板的方向依序设置；

第三绝缘层，设置于该第二半导体层上；以及

第二导电层，设置于该第三绝缘层上，其中该第二导电层具有第一部、第二部、第三部及第四部，该第二导电层的该第一部及该第二部彼此分离且通过该第三绝缘层的多个接触窗分别电连接至该第一半导体层的该第一部的不同两区，该第二导电层的该第三部及该第四部彼此分离且通过该第三绝缘层的多个接触窗分别电连接至该第二半导体层的该第一部的不同两区。

2.如权利要求1所述的半导体装置，还包括：

第四绝缘层，设置于该第二半导体层上，且位于该第三绝缘层与该第二半导体层之间；以及

第三导电层，设置于该第四绝缘层上，且位于该第三绝缘层与该第四绝缘层之间，其中该第三导电层具有第一部，且该第一半导体层的该第一部、该第一导电层的该第一部、该第二半导体层的该第一部及该第三导电层的该第一部沿着远离该基板的该方向依序设置。

3.如权利要求2所述的半导体装置，其中该第二导电层的该第一部与该第二导电层的该第三部直接地连接，且该第二导电层的该第二部与该第二导电层的该第四部直接地连接。

4.如权利要求2所述的半导体装置，其中该第一导电层的该第一部与该第三导电层的该第一部电连接。

5.如权利要求2所述的半导体装置，其中该第一半导体层还具有第二部；该第一导电层还具有第二部；该第三导电层还具有第二部，与该第三导电层的该第一部分离；该第二导电层还具有彼此分离的第五部及第六部；该第一半导体层的该第二部、该第一导电层的该第二部及该第三导电层的该第二部沿着远离该基板的该方向依序设置；该第三导电层的该第二部通过该第二绝缘层的一接触窗电连接至该第一导电层的该第二部；该第二导电层的该第五部及该第六部通过该第三绝缘层的多个接触窗分别电连接至该第一半导体层的该第二部的不同两区。

6.如权利要求5所述的半导体装置，其中该第一半导体层还具有第三部，与该第一半导体层的该第一部及该第二部分离；该第一导电层还具有第三部，与该第一导电层的该第一部及该第二部分离；该第二半导体层还具有第二部，与该第二半导体层的该第一部分离；该第三导电层还具有第三部，与该第三导电层的该第一部及该第二部分离；该第二导电层还具有第七部，电连接至该第二导电层的该第六部及该第一导电层的该第三部；该第三导电层的该第三部通过该第四绝缘层的接触窗及该第二绝缘层的接触窗电连接至该第一导电层的该第三部；该第一半导体层的该第三部、该第一导电层的该第三部、该第二半导体层的该第二部及该第三导电层的该第三部沿着远离该基板的该方向依序设置。

7.如权利要求6所述的半导体装置，其中该第二半导体层的该第二部为该第二半导体层的重掺杂区。

8.如权利要求1所述的半导体装置，其中在该半导体装置的俯视图中，该第一半导体层的该第一部与该第二半导体层的该第一部交错设置。

9.如权利要求8所述的半导体装置，其中该第一半导体层的该第一部在该第二导电层的该第一部与该第二部的第一排列方向上具有第一长度L1，该第一半导体层的该第一部在垂直于该第一排列方向的方向上具有第一宽度W1；该第二半导体层的该第一部在该第二导电层的该第三部与该第四部的第二排列方向上具有第二长度L2，该第二半导体层的该第一部在垂直于该第二排列方向的方向上具有第二宽度W2；(W1/L1)(W2/L2)。