[发明专利]一种光刻-曝光工艺中晶圆片边缘的处理方法

权利要求书

1.一种光刻-曝光工艺中晶圆片边缘的处理方法，所述光刻-曝光工艺包括如下步骤：涂胶、曝光、显影；其特征在于：

所述曝光步骤包括：（1）边缘曝光：沿晶圆片内边缘进行边缘曝光处理；（2）整片曝光：采用遮边环对边缘曝光处进行遮光，然后对晶圆片进行整片曝光，所述遮边环的宽度大于所述边缘曝光的宽度；

所述显影步骤结束后在所述晶圆片内边缘处形成一圈胶圈。

2.根据权利要求1所述的光刻-曝光工艺中晶圆片边缘的处理方法，其特征在于：所述涂胶步骤采用负性光刻胶，所述边缘曝光的起始位置距晶圆片内边缘间隔一定宽度。

3.根据权利要求2所述的光刻-曝光工艺中晶圆片边缘的处理方法，其特征在于：所述边缘曝光处理通过固定在边缘曝光起始位置的光栅尺实现，所述边缘曝光的宽度对应于光栅尺的宽度。

4.根据权利要求3所述的光刻-曝光工艺中晶圆片边缘的处理方法，其特征在于：所述边缘曝光的起始位置距晶圆片内边缘间隔1.8mm，所述光栅尺的宽度为1.2mm。

5.根据权利要求1所述的光刻-曝光工艺中晶圆片边缘的处理方法，其特征在于：所述涂胶步骤采用正性光刻胶，所述边缘曝光的起始位置为晶圆片的内边缘。

6.根据权利要求5所述的光刻-曝光工艺中晶圆片边缘的处理方法，其特征在于：所述边缘曝光处理通过固定在晶圆片内边缘的光栅尺实现，所述边缘曝光的宽度通过遮挡光栅尺进行控制。

7.根据权利要求4或6所述的光刻-曝光工艺中晶圆片边缘的处理方法，其特征在于：所述遮边环的宽度W2≤3mm。

8.根据权利要求7所述的光刻-曝光工艺中晶圆片边缘的处理方法，其特征在于：所述遮边环的宽度为2.6mm。

9.根据权利要求5所述的光刻-曝光工艺中晶圆片边缘的处理方法，其特征在于：所述曝光步骤结束后，对所述晶圆片烘干后再进行显影。