[发明专利]一种光刻-曝光工艺中晶圆片边缘的处理方法

说明书

本发明公开的光刻‑曝光工艺中晶圆片边缘的处理方法，所述光刻‑曝光工艺包括如下步骤：涂胶、曝光、显影；所述曝光步骤包括边缘曝光和整片曝光，边缘曝光时沿晶圆片内边缘进行边缘曝光处理；整片曝光时采用遮边环对边缘曝光处进行遮光，然后对晶圆片进行整片曝光，所述遮边环的宽度大于所述边缘曝光的宽度；所述显影步骤结束后在所述晶圆片内边缘处形成一圈胶圈。本发明提供的方法显影后会在晶圆片内边缘留下一圈胶线，此晶圆片在电镀时，不存在电镀液渗镀现象，从而提高电镀效率，改善电镀质量。

技术领域

本发明涉及半导体光刻曝光工艺技术领域，具体涉及一种光刻-曝光工艺中晶圆片边缘的处理方法。

背景技术

随着科技的发展，半导体封装的应用越来越广，需求量也在不断提升。如何对现有的封装工艺进行优化以及提高封装效率则成为公司竞争力的重中之重。在传统的半导体封装工艺中，光刻工艺流程包括涂胶、曝光、显影、检验，涂覆完光刻胶的晶圆片在经过曝光、显影及检验后，将晶圆片进行电镀，电镀时采用晶圆承座（wafer holder）承载晶圆，晶圆承座为圆环形，靠近圆环形内边缘处设置有台阶，台阶包括靠近圆环的内台阶以及靠近圆心的外台阶，内台阶高于外台阶，外台阶与晶圆边缘相接触。然而由于晶圆片边缘存在开口（整片曝光方式），电镀时电镀液可能通过边缘的开口渗过去，导致电镀后晶圆承座周围会有金属层产生，致使下次使用时存在密闭性及电流损耗等问题，不仅降低电镀效率，增加人工成本，严重时甚至影响电镀质量。

发明内容

发明目的：本发明目的在于针对现有技术的不足，提供一种光刻-曝光工艺中晶圆片边缘的处理方法，显影后会在晶圆片内边缘留下一圈胶线，此晶圆片在电镀时，不存在电镀液渗镀现象，从而提高电镀效率，改善电镀质量。

技术方案：本发明所述光刻-曝光工艺中晶圆片边缘的处理方法，光刻-曝光工艺中晶圆片边缘的处理方法，所述光刻-曝光工艺包括如下步骤：涂胶、曝光、显影；所述曝光步骤包括：（1）边缘曝光：沿晶圆片内边缘进行边缘曝光处理；（2）整片曝光：采用遮边环对边缘曝光处进行遮光，然后对晶圆片进行整片曝光，所述遮边环的宽度大于所述边缘曝光的宽度；所述显影步骤结束后在所述晶圆片内边缘处形成一圈胶圈。

进一步完善上述技术方案，所述涂胶步骤采用负性光刻胶，所述边缘曝光的起始位置距晶圆片内边缘间隔一定宽度。

进一步地，所述边缘曝光处理通过固定在边缘曝光起始位置的光栅尺实现，所述边缘曝光的宽度对应于光栅尺的宽度。

进一步地，所述边缘曝光的起始位置距晶圆片内边缘间隔1.8mm，所述光栅尺的宽度为1.2mm。

进一步地，所述涂胶步骤采用正性光刻胶，所述边缘曝光的起始位置为晶圆片的内边缘。

进一步地，所述边缘曝光处理通过固定在晶圆片边缘的光栅尺实现，所述边缘曝光的宽度通过遮挡光栅尺进行控制。采用正性光刻胶，显影后形成的胶环宽度=遮边环宽度-边缘曝光宽度。

进一步地，所述遮边环的宽度W2≤3mm。

进一步地，所述遮边环的宽度为2.6mm。

进一步地，所述曝光步骤结束后，对所述晶圆片烘干后再进行显影。

有益效果：与现有技术相比，本发明的优点在于：本发明在光刻-曝光工艺中，针对不同特性的胶材，在曝光时对晶圆片边缘的光刻胶增加一层曝光和遮光，即WEE（WaferEdge Exposure，晶圆边缘曝光）与WEP（Wafer edge protection，晶圆边缘保护）相互配合，通过晶圆边缘保护，使得晶圆片在显影后边缘形成一圈胶圈（无开口），原无效区的开口变成了胶圈，此晶圆片在电镀时，不存在电镀液渗镀现象，晶圆承座周围则不会产生金属层，从而实现了在改善电镀质量的同时，提高了电镀的效率。

附图说明

图1是本发明采用正性光刻胶进行光刻-曝光工艺中晶圆片边缘的处理示意图；