[发明专利]一种去除MOEMS器件台阶硅草的方法

权利要求书

1.一种去除MOEMS器件台阶硅草的方法，它包括以下步骤：选取SOI晶圆在并刻蚀形成槽体（31）；S2、清洗所述SOI晶圆；S3、刻蚀顶层硅从而形成第二槽体（34），形成梳齿结构（33）和硅草（32）其特征在于：S4、使用C4F8气体在梳齿结构（33）和硅草（32）以及第二槽体（34）上形成钝化层（5）；S5、使用SF6气体去除水平分布在第二槽体（34）、梳齿结构（33）以及硅草（32）上的钝化层（5）；S6、SF6气体对梳齿结构（33）和硅草（32）底部进行横向钻蚀（35），使得硅草（32）倒塌；S7、使用SF6气体对倒塌后的硅草（32）上表面的钝化层（5）进行去除；S8、使用SF6气体将硅草（32）蚀掉；S9、清洗晶圆，将硅草（32）下表面的残留钝化层（5）以及剩余的极少量硅草（32）的碎屑全部清洗干净。

2.根据权利要求1中所述的一种去除MOEMS器件台阶硅草的方法，其特征在于：在所述S4的步骤中，C4F8气体在射频功率作用下变为等离子体，C4F8气体使用时间为8s-12s，流量为300sccm-350sccm，source功率为2500W-3000W，压力为30mtorr-40mtorr。

3.根据权利要求1中所述的一种去除MOEMS器件台阶硅草的方法，其特征在于：在所述S5的步骤中，SF6气体在射频功率作用下变为等离子体，产生带正电粒子SF5⁺，在下电极platen下拉功率下轰击第二槽体（34）、梳齿结构（33）以及硅草（32）上表面上的钝化层（5），所述SF6气体的时间为3s-4s，流量为300sccm-350sccm，source功率为2500W-3000W，platen功率为300W-400W，压力为20mtorr-30mtorr。

4.根据权利要求1中所述的一种去除MOEMS器件台阶硅草的方法，其特征在于：在所述S6的步骤中SF6气体，在射频功率作用下变为等离子体，产生F*自由基，SF6气体的时间为10s-20s，流量为300sccm-350sccm，source功率为2500W-3000W，platen功率为30W-40W，压力为20mtorr-30mtorr。

5.根据权利要求1中所述的一种去除MOEMS器件台阶硅草的方法，其特征在于：在所述S7的步骤中SF6气体，在射频功率作用下变为等离子体，产生带正电粒子SF5⁺，在下电极platen下拉功率下轰击所述钝化层（5），SF6气体的时间为3s-4s，流量为300sccm-350sccm，source功率为2500W-3000W，platen功率为300W-400W，压力为20mtorr-30mtorr。

6.根据权利要求1中所述的一种去除MOEMS器件台阶硅草的方法，其特征在于：在所述S8步骤中SF6气体在射频功率作用下变为等离子体，产生F*自由基，SF6气体的时间为5s-10s，流量为300sccm-500sccm，source功率为2500W-3000W，platen功率为30W-40W，压力为20mtorr-30mtorr。

7.根据权利要求1中所述的一种去除MOEMS器件台阶硅草的方法，其特征在于：所述S9步骤中清洗晶圆使用EKC溶液，清洗时间大于30min，温度75℃-85℃。