[发明专利]一种去除MOEMS器件台阶硅草的方法

说明书

本发明提供一种去除MOEMS器件台阶硅草的方法，它包括以下步骤：S1、选取SOI晶圆并刻蚀形成台阶；S2、清洗所述SOI晶圆；S3、刻蚀顶层硅及台阶，形成梳齿结构及硅草；S4、在梳齿结构和硅草上设置厚钝化层；S5、刻蚀气体去除水平面上的钝化层；S6、刻蚀气体钻蚀所述台阶和硅草的根部；S7、刻蚀气体去除硅草表面上的钝化层；S8、刻蚀气体刻蚀倒在所述台阶上的硅草；S9、清洗残留的所述钝化层及硅草。本发明操作方便，硅草去除干净，有效的提升了器件的使用可靠性，增加了工作寿命。

技术领域：

本发明涉及一种MOMES器件制作技术领域，具体地说就是一种去除MOEMS器件台阶硅草的方法。

背景技术：

在制作一类MOMES器件时，经常会先形成台阶，再进行梳齿结构刻蚀，此时会在台阶处出现草状毛刺（silicon grass），由于这些毛刺在电镜下，非常像小草，所以我们称之为“硅草”，这些硅草一般都较脆弱，但在较大的静电力下，容易造成短路以及损伤梳齿结构，进而降低器件的工作可靠性，减短工作寿命。而去除台阶硅草，通常采用的方法是，在进行梳齿结构刻蚀后，通入一定时间的SF6（六氟化硫）气体来刻蚀硅草。

这种去除方式存在的问题是，刻蚀硅草时，梳齿结构侧面暴露在刻蚀气体中，也被刻蚀从而造成了损伤；同时，为了减弱梳齿结构的损伤，需严格控制SF6气体的流量、功率及时间，导致很难将台阶硅草完全去除干净。

发明内容：

本发明就是为克服现有技术中的不足，提供一种去除MOEMS器件台阶硅草的方法。

本申请提供以下技术方案：

一种去除MOEMS器件台阶硅草的方法，它包括以下步骤：选取SOI晶圆在并刻蚀形成槽体；S2、清洗所述SOI晶圆；S3、刻蚀顶层硅从而形成第二槽体，形成梳齿结构和硅草其特征在于：S4、使用C4F8气体在梳齿结构和硅草以及第二槽体上形成钝化层；S5、使用SF6气体去除水平分布在第二槽体、梳齿结构以及硅草上的钝化层；S6、SF6气体对梳齿结构和硅草底部进行横向钻蚀，使得硅草倒塌；S7、使用SF6气体对倒塌后的硅草上表面的钝化层进行去除；S8、使用SF6气体将硅草蚀掉；S9、清洗晶圆，将硅草下表面的残留钝化层以及剩余的极少量硅草的碎屑全部清洗干净。

在上述技术方案的基础上，还可以有以下进一步的技术方案：

在所述S4的步骤中，C4F8气体在射频功率作用下变为等离子体，C4F8气体使用时间为8s-12s，流量为300sccm-350sccm，source功率为2500W-3000W，压力为30mtorr-40mtorr。

在所述S5的步骤中，SF6气体在射频功率作用下变为等离子体，产生带正电粒子SF5⁺，在下电极platen下拉功率下轰击台阶、梳齿结构以及硅草上表面上的钝化层，所述SF6气体的时间为3s-4s，流量为300sccm-350sccm，source功率为2500W-3000W，platen功率为300W-400W，压力为20mtorr-30mtorr。

在所述S6的步骤中SF6气体，在射频功率作用下变为等离子体，产生F*自由基，SF6气体的时间为10s-20s，流量为300sccm-350sccm，source功率为2500W-3000W，platen功率为30W-40W，压力为20mtorr-30mtorr。

在所述S7的步骤中SF6气体，在射频功率作用下变为等离子体，产生带正电粒子SF5⁺，在下电极platen下拉功率下轰击所述钝化层，SF6气体的时间为3s-4s，流量为300sccm-350sccm，source功率为2500W-3000W，platen功率为300W-400W，压力为20mtorr-30mtorr。