[发明专利]接触电极的制备方法、Mirco-LED阵列器件及其制备方法

权利要求书

1.一种接触电极的制备方法，其特征在于，包括以下过程：

提供Micro-LED阵列基板，在所述Micro-LED阵列基板的接触电极位置形成铟主体层；

在所述铟主体层上形成金属保护层；

对所述铟主体层和所述金属保护层进行回流，得到所述接触电极。

2.根据权利要求1所述的接触电极的制备方法，其特征在于，所述金属保护层的材料包括Au、Ag、Ni或Au、Ag和Ni中任意两种或三种的合金。

3.根据权利要求2所述的接触电极的制备方法，其特征在于，所述金属保护层的厚度为5nm～500nm。

4.根据权利要求1～3中任意一项所述的接触电极的制备方法，其特征在于，从开始形成所述铟主体层直至形成所述金属保护层的环境持续为真空环境或无氧气氛。

5.根据权利要求4所述的接触电极的制备方法，其特征在于，形成所述铟主体层的方法和形成所述金属保护层的方法均为真空蒸镀法。

6.根据权利要求5所述的接触电极的制备方法，其特征在于，形成所述铟主体层的过程为：先在所述Micro-LED阵列基板的表面形成图案化的光刻胶层，所述图案化的光刻胶层的镂空图案对应所述接触电极的位置，然后将形成有所述图案化的光刻胶层的所述Micro-LED阵列基板置于真空镀膜装置中，放置铟颗粒或者铟靶材，所述铟颗粒或者所述铟靶材获得能量转化为铟气体沉积在所述接触电极的位置，形成所述铟主体层，形成所述铟主体层过程中，实时监测所述铟主体层厚度，其中，所述真空镀膜装置的真空度为1.0×10^-5Torr～1.0×10^-6Torr，所述铟主体层的沉积速率为

7.根据权利要求6所述的接触电极的制备方法，其特征在于，形成所述金属保护层的过程为：将形成有所述铟主体层的所述Micro-LED阵列基板继续置于所述真空镀膜装置中，放置待蒸镀的金属颗粒或者相应的靶材，所述金属颗粒或者所述靶材获得能量转化为气体沉积在所述铟主体层上，形成所述金属保护层，其中，所述真空镀膜装置的真空度为1.0×10^-5Torr～1.0×10^-6Torr，所述金属保护层的沉积速率为

8.根据权利要求1～3、5～7中任意一项所述的接触电极的制备方法，其特征在于，所述回流的环境为真空环境或无氧气氛，所述回流的最高温度为150℃～300℃，所述回流的最高温度保持时间为10s～150s。

9.一种Mirco-LED阵列器件的制备方法，其特征在于，包括以下过程：

制备Mirco-LED阵列基板，所述Micro-LED阵列基板包括衬底、设置于衬底上的多个间隔分布的Micro-LED芯片以及覆盖所述Micro-LED芯片的钝化层，所述钝化层开设有露出所述Micro-LED芯片的通孔，所述通孔用于制备接触电极，所述接触电极用于与驱动电路板的电极相连接，并为所述Micro-LED芯片提供电源；

在所述通孔内以及所述通孔上方按权利要求1～8任意一项所述的接触电极的制备方法制备所述接触电极，得到所述Mirco-LED阵列器件。

10.一种如权利要求9中所述的制备方法制得的Mirco-LED阵列器件。