[发明专利]接触电极的制备方法、Mirco-LED阵列器件及其制备方法

说明书

本发明公开了一种接触电极的制备方法、Mirco‑LED阵列器件及其制备方法，接触电极的制备方法，包括以下过程：提供Micro‑LED阵列基板，在所述Micro‑LED阵列基板的接触电极位置形成铟主体层；在所述铟主体层上形成金属保护层；对所述铟主体层和所述金属保护层进行回流，得到所述接触电极。本发明制备的接触电极的高度、形状以及大小均匀，偏差较小，降低接触电极与驱动电路板的电极连接过程中出现短路、虚焊的几率。

技术领域

本发明涉及Micro-LED技术领域，更具体地，涉及接触电极的制备方法、Mirco-LED阵列器件及其制备方法。

背景技术

基于第三代宽禁带半导体GaN材料的Micro-LED具有自发光、低功耗、高亮度、高对比度、高分辨率等特点，Micro-LED阵列器件作为显示屏具有高密度像素阵列(即高密度Micro-LED单元阵列，每个Micro-LED单元即代表一个像素)，单颗像素尺寸(即单颗Micro-LED单元)往往为几十微米甚至几微米。这种显示屏可以应用于对分辨率和亮度要求较高的AR、VR、MR、微型投影或可穿戴设备上，甚至可以把照明和显示结合为一体，具有很高的商业应用价值和可观的发展前景。

因Micro-LED像素点比较小，特别是针对只有几微米甚至纳米级尺寸大小的像素，要实现每个Micro-LED像素的接触电极与驱动电路板的电极的有效连接，需要求接触电极具有一致性，即要求接触电极的位置、大小和高度偏差小，以及具有良好的机械性能和电学特性。

现有技术中，由于金属铟具有较好延展性、高热导率以及良好的浸润性和塑性形变，能缓解接触电极和驱动电路板的电极之间因热膨胀系数不匹配而产生的应力，因此，金属铟成为接触电极的最佳材料。制备铟接触电极时，最后步骤需要对铟接触电极进行回流，回流使铟接触电极缩聚成铟球凸点，使松散结构的铟变得更加致密，以提供更好的机械性能和电学性能。然而，现有技术中，对铟接触电极进行回流过程中，铟接触电极无法缩聚成铟球凸点，或者铟接触电极缩聚不均一，并且铟接触电极易发生攀爬和形成晶须等，上述因素使回流后得到的铟球凸点的高度、形状以及大小不均，偏差较大，参考图1和图2以及图5和图6，从而影响接触电极与驱动电路板的电极的有效连接，易出现短路、虚焊等问题。

发明内容

本发明的目的之一在于克服现有技术存在的上述缺陷，提供一种接触电极的制备方法，使回流后得到的接触电极的高度、形状以及大小均匀，偏差较小，降低接触电极与驱动电路板的电极连接过程中出现短路、虚焊的几率。

为实现上述目的，本发明的技术方案如下：

一种接触电极的制备方法，包括以下过程：

提供Micro-LED阵列基板，在所述Micro-LED阵列基板的接触电极位置形成铟主体层；

在所述铟主体层上形成金属保护层；

对所述铟主体层和所述金属保护层进行回流，得到所述接触电极。

本发明的目的之二在于提供一种Mirco-LED阵列器件的制备方法，使制得的接触电极高度、形状以及大小均匀，偏差较小，降低接触电极与驱动电路板的电极连接过程中出现短路、虚焊的几率。

为实现上述目的，本发明的技术方案如下：

一种Mirco-LED阵列器件的制备方法，包括以下过程：

制备Mirco-LED阵列基板，所述Micro-LED阵列基板包括衬底、设置于衬底上的多个间隔分布的Micro-LED芯片以及覆盖所述Micro-LED芯片的钝化层，所述钝化层开设有露出所述Micro-LED芯片的通孔，所述通孔用于制备接触电极，所述接触电极用于与驱动电路板的电极相连接，并为所述Micro-LED芯片提供电源；

在所述通孔内以及所述通孔上方按上述的接触电极的制备方法制备所述接触电极，得到所述Mirco-LED阵列器件。