[发明专利]对准偏差量测方法、晶圆键合设备及晶圆键合方法

权利要求书

1.一种对准偏差量测方法，其特征在于，包括：

提供相键合的上层晶圆和下层晶圆；

获得所述上层晶圆和/或所述下层晶圆上的位置点的实际坐标与理论坐标；

根据所述实际坐标与所述理论坐标，计算获得所述位置点的非正交旋转偏差。

2.如权利要求1所述的对准偏差量测方法，其特征在于，计算获得所述位置点的非正交旋转偏差的步骤包括：获得的所述实际坐标为(X1，Y1)以及所述理论坐标为(X0，Y0)，将arctan(Y1/X1)与arctan(Y0/X0)求差后获得所述位置点的非正交旋转偏差。

3.如权利要求1所述的对准偏差量测方法，其特征在于，所述对准偏差量测方法还包括：

计算获得多个所述位置点的非正交旋转偏差，并进行求平均值或者建立模型，以获得所述上层晶圆相对于所述下层晶圆和/或所述下层晶圆相对于所述上层晶圆的非正交旋转偏差。

4.如权利要求3所述的对准偏差量测方法，其特征在于，所述对准偏差量测方法还包括：

获得多个所述位置点的实际坐标，并建立模型，以获得所述上层晶圆相对于所述下层晶圆和/或所述下层晶圆相对于所述上层晶圆的总旋转偏差；

采用所述总旋转偏差减去所述上层晶圆相对于所述下层晶圆和/或所述下层晶圆相对于所述上层晶圆的非正交旋转偏差，以获得所述上层晶圆相对于所述下层晶圆和/或所述下层晶圆相对于所述上层晶圆的正交旋转偏差。

5.如权利要求4所述的对准偏差量测方法，其特征在于，获得所述总旋转偏差建立的模型为：

Δ_X＝T_X+M*X-R*Y+e_X (1)

Δ_Y＝T_Y+M*Y+R*X+e_Y (2)

所述位置点的实际坐标为(X,Y)，Δ_X和Δ_Y分别为所述位置点在X方向和Y方向上的键合偏移量，T_X和T_Y分别为在X方向和Y方向上的所述上层晶圆相对于所述下层晶圆和/或所述下层晶圆相对于所述上层晶圆的键合偏移量，M为所述上层晶圆相对于所述下层晶圆和/或所述下层晶圆相对于所述上层晶圆的收缩或扩张量，R为所述总旋转偏差，e_X和e_Y分别为所述位置点在X方向和Y方向上的扭曲度导致的偏差。

6.一种晶圆键合设备，其特征在于，包括用于固定上层晶圆的上卡盘和用于固定下层晶圆的下卡盘，所述上卡盘靠近所述上层晶圆的一面和/或所述下卡盘靠近所述下层晶圆的一面设置有至少两个真空调控区，所述上卡盘靠近所述上层晶圆的一面和/或所述下卡盘靠近所述下层晶圆的一面的每个所述真空调控区分别独立地与一个抽真空装置相连通，以在执行键合工艺时独立地控制每个所述真空调控区的真空值。

7.如权利要求6所述的晶圆键合设备，其特征在于，所述上卡盘靠近所述上层晶圆的一面和所述下卡盘靠近所述下层晶圆的一面均包括中间区域和环绕所述中间区域的边缘区域，至少所述边缘区域设置有所述真空调控区。

8.如权利要求6所述的晶圆键合设备，其特征在于，所述晶圆键合设备还包括设置于所述上卡盘远离所述上层晶圆的一面和/或所述下卡盘远离所述下层晶圆的一面的至少两条管路，每个所述真空调控区独立地通过一条所述管路与一个所述抽真空装置相连通。