[发明专利]一种自动去胶剥离工艺在审
申请号: | 202111487558.3 | 申请日: | 2021-12-08 |
公开(公告)号: | CN114334608A | 公开(公告)日: | 2022-04-12 |
发明(设计)人: | 蒋磊;陆瑞珠 | 申请(专利权)人: | 江苏晋誉达半导体股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/67 |
代理公司: | 苏州金项专利代理事务所(普通合伙) 32456 | 代理人: | 金星 |
地址: | 215600 江苏省苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 自动 剥离 工艺 | ||
1.一种自动去胶剥离工艺,其特征在于:包括:
S1、将两个均放置了未去胶晶圆的第一晶圆盒和第二晶圆盒放置在载片台上;
S2、利用晶圆转移手臂将其中第一晶圆盒上未去胶的晶圆逐片送入到浸泡去胶剥离装置内的花篮中,待花篮中放满晶圆后停止放置;
S3、将花篮倾斜并下降浸泡到浸泡去胶剥离装置的浸泡腔体内的剥离液中,花篮完全浸泡到剥离液中,将浸泡腔体密闭并对内部的气相空间抽气;
S4、待浸泡完成后,将花篮从剥离液中提出后调整花篮水平,利用晶圆转移手臂将晶圆逐片放置到第一晶圆盒中;
S5、再重复步骤S2至S4,晶圆转移手臂将第二晶圆盒上的晶圆放入到花篮中并浸泡到剥离液中,待浸泡完成后晶圆转移手臂再将晶圆逐片放入到第二晶圆盒中;
S6、在第二晶圆盒上的晶圆逐片放入到花篮、花篮内浸泡剥离、花篮晶圆放回到第二晶圆盒内的整个过程中,第一晶圆盒内所有的晶圆完成旋转喷淋和旋转清洗后送回第一晶圆盒中;
其中,旋转喷淋的具体方式为:晶圆被送入喷淋去胶剥离装置的晶圆卡座中,晶圆卡座旋转带动晶圆旋转,然后先利用常压喷嘴和下喷嘴持续对旋转的晶圆上下表面喷淋剥离液,待常压喷淋时间结束后,再利用高压喷嘴对晶圆的上表面高压喷淋剥离液,喷淋完成后将晶圆送回第一晶圆盒中,一个晶圆的旋转喷淋步骤完成;
S7、将第一晶圆盒移走,并放入第三晶圆盒,第二晶圆盒上的晶圆进行旋转喷淋和旋转清洗步骤,第三晶圆盒中的晶圆重复步骤S2至S4,如此交替。
2.如权利要求1所述的一种自动去胶剥离工艺,其特征在于:所述步骤S6中旋转清洗的方式为:
S61、将晶圆入到清洗装置的晶圆卡座上;
S62、晶圆卡座带动晶圆旋转;
S63、利用高压喷嘴和部分下喷嘴对晶圆的上下表面喷淋纯水清洗,清洗完成后,再利用常压喷嘴和剩余的下喷嘴对晶圆上下表面喷吹氮气,使晶圆上下表面干燥。
3.如权利要求2所述的一种自动去胶剥离工艺,其特征在于:所述晶圆卡座的旋转中心与晶圆的中心不同心。
4.如权利要求3所述的一种自动去胶剥离工艺,其特征在于:所述花篮倾斜的角度为30°-45°之间。
5.如权利要求4所述的一种自动去胶剥离工艺,其特征在于:所述花篮浸泡在剥离液的时间不低于5分钟。
6.如权利要求5所述的一种自动去胶剥离工艺,其特征在于:所述步骤S6中常压喷淋中常压喷嘴和下喷嘴使用回收剥离液,高压喷嘴使用新剥离液。
7.如权利要求6所述的一种自动去胶剥离工艺,其特征在于:所述步骤S6中晶圆常压喷淋和高压喷淋的过程中利用防护罩壳将晶圆卡座罩扣防护。
8.如权利要求7所述的一种自动去胶剥离工艺,其特征在于:所述防护罩壳包括处于晶圆卡座外围的外固定圈、内固定圈以及处于外固定圈和内固定圈之间可升降的活动罩壳,在晶圆进入晶圆卡座时,活动罩壳下降使晶圆卡座从活动罩壳上的喷淋窗口露出,当进行喷淋去胶时,活动罩壳上升将晶圆卡座防护,活动罩壳的下端始终处于外固定圈和内固定圈的范围内。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造