[发明专利]一种自动去胶剥离工艺

说明书

本发明公开了一种自动去胶剥离工艺，包括：S1、将第一晶圆盒和第二晶圆盒放置在载片台上；S2、将其中第一晶圆盒上的晶圆逐片送入花篮中；S3、将花篮倾斜并下降浸泡剥离液中；S4、将花篮提出逐片放置到第一晶圆盒中；S5、再重复步骤S2至S4完成第二晶圆盒上的晶圆浸泡去胶；S6、在第二晶圆盒上的晶圆浸泡去胶的整个过程中，第一晶圆盒内所有的晶圆完成旋转喷淋和旋转清洗后送回第一晶圆盒中；S7、将第一晶圆盒移走，并放入第三晶圆盒，第二晶圆盒上的晶圆进行旋转喷淋和旋转清洗步骤，第三晶圆盒中的晶圆重复步骤S2至S4。该去胶剥离工艺将晶圆先经过浸泡去胶、喷淋去胶和清洗，从而提高了去胶的效率和去胶的质量。

技术领域

本发明涉及一种自动去胶剥离工艺，用于对晶圆表面取出光刻胶和金属层。

背景技术

在半导体技术领域中，需要在晶圆的表面生成金属层，目前的通常做法是先在晶圆上生成一层光刻胶，然后进行刻蚀形成线条槽，然后通过金属离子蒸发公司在光刻胶表面和晶圆线条槽内形成金属层，最终通过去胶和剥离工艺将无用的光刻胶和金属层去除，而保留线条槽内的金属。而目前的去胶剥离工艺是通过将晶圆安装在旋转的晶圆卡座上，晶圆卡座处于剥离腔内，然后通过偏摆的喷头对晶圆表面进行喷淋剥离液，喷淋剥离完成后，利用晶圆转移手臂送入到清洗装置中进行清洗，然目前的这种去胶剥离工艺存在以下缺点：1、单纯的采用喷淋的方式进行去胶剥离，去胶剥离并不彻底，且需要喷淋去胶的时间长；2、目前的喷淋过程时间长，因而需要大量的剥离液，容易造成剥离液的浪费；3、目前的喷淋过程中，剥离液会溅射到清洗腔的各个地方，导致对内部其他的部位进行腐蚀。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是：提供一种自动去胶剥离工艺，该去胶剥离工艺将晶圆先经过浸泡去胶、喷淋去胶和清洗，从而提高了去胶的效率和去胶的质量。

为解决上述技术问题，本发明的技术方案是：一种自动去胶剥离工艺，包括：S1、将两个均放置了未去胶晶圆的第一晶圆盒和第二晶圆盒放置在载片台上；S2、利用晶圆转移手臂将其中第一晶圆盒上未去胶的晶圆逐片送入到浸泡去胶剥离装置内的花篮中，待花篮中放满晶圆后停止放置；S3、将花篮倾斜并下降浸泡到浸泡去胶剥离装置的浸泡腔体内的剥离液中，花篮完全浸泡到剥离液中，将浸泡腔体密闭并对内部的气相空间抽气；S4、待浸泡完成后，将花篮从剥离液中提出后调整花篮水平，利用晶圆转移手臂将晶圆逐片放置到第一晶圆盒中；S5、再重复步骤S2至S4，晶圆转移手臂将第二晶圆盒上的晶圆放入到花篮中并浸泡到剥离液中，待浸泡完成后晶圆转移手臂再将晶圆逐片放入到第二晶圆盒中；S6、在第二晶圆盒上的晶圆逐片放入到花篮、花篮内浸泡剥离、花篮晶圆放回到第二晶圆盒内的整个过程中，第一晶圆盒内所有的晶圆完成旋转喷淋和旋转清洗后送回第一晶圆盒中；其中，旋转喷淋的具体方式为：晶圆被送入喷淋去胶剥离装置的晶圆卡座中，晶圆卡座旋转带动晶圆旋转，然后先利用常压喷嘴和下喷嘴持续对旋转的晶圆上下表面喷淋剥离液，待常压喷淋时间结束后，再利用高压喷嘴对晶圆的上表面高压喷淋剥离液，喷淋完成后将晶圆送回第一晶圆盒中，一个晶圆的旋转喷淋步骤完成；S7、将第一晶圆盒移走，并放入第三晶圆盒，第二晶圆盒上的晶圆进行旋转喷淋和旋转清洗步骤，第三晶圆盒中的晶圆重复步骤S2至S4，如此交替。

作为一种优选的方案，所述步骤S6中旋转清洗的方式为：

S61、将晶圆入到清洗装置的晶圆卡座上；

S62、晶圆卡座带动晶圆旋转；

S63、利用高压喷嘴和部分下喷嘴对晶圆的上下表面喷淋纯水清洗，清洗完成后，再利用常压喷嘴和剩余的下喷嘴对晶圆上下表面喷吹氮气，使晶圆上下表面干燥，该旋转清洗利用高压喷嘴喷淋纯水可以快速去除上下表面的剥离液，然后再利用氮气进行吹扫使其干燥，整个过程晶圆旋转，从而清洗效率高，效果好。

作为一种优选的方案，所述晶圆卡座的旋转中心与晶圆的中心不同心，这样可以使晶圆上的液体全部甩出。

作为一种优选的方案，所述花篮倾斜的角度为30°-45°之间。