[发明专利]一种紫外封装器件在审
申请号: | 202111487880.6 | 申请日: | 2021-12-06 |
公开(公告)号: | CN114188461A | 公开(公告)日: | 2022-03-15 |
发明(设计)人: | 李文博;孙钱;杨勇;张智聪;汤乐明;李光辉;王宏伟 | 申请(专利权)人: | 广东中科半导体微纳制造技术研究院;中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
主分类号: | H01L33/48 | 分类号: | H01L33/48;H01L33/60;H01L33/62;H01L33/52 |
代理公司: | 深圳市恒程创新知识产权代理有限公司 44542 | 代理人: | 王启蒙 |
地址: | 528000 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 紫外 封装 器件 | ||
1.一种紫外封装器件,其特征在于,所述紫外封装器件包括:
基板(10);
内壳(30),所述内壳(30)围设于所述基板(10),所述内壳(30)的内表面贴合于所述基板(10)的上表面,并于所述基板(10)上表面形成安装凹槽(31);
外壳(50),所述外壳(50)围设于所述基板(10)与所述内壳(30),并贴合于所述内壳(30)的上表面,以及
镜片(70),所述外壳(50)于所述内壳(30)的上方设有所述镜片(70),所述镜片(70)将所述安装凹槽(31)密封;
其中,紫外LED(90)设于所述安装凹槽(31)内,所述内壳(30)与所述外壳(50)由紫外反射材料形成。
2.如权利要求1所述的紫外封装器件,其特征在于,所述安装凹槽(31)的槽壁与所述紫外LED(90)之间设有第一间隙(32);
所述安装凹槽(31)的槽壁包括靠近所述基板(10)的第一槽壁(311),和背离所述基板(10)的第二槽壁(313),所述第二槽壁(313)从安装凹槽(31)的槽底向槽口的方向延伸,并沿背离所述紫外LED(90)的方向倾斜;
所述第一槽壁(311)与所述第二槽壁(313)表面设置有反射层。
3.如权利要求2所述的紫外封装器件,其特征在于,所述第二槽壁(313)所在平面与基板(10)所在平面形成的夹角α为30度~75度;
和/或,所述第一槽壁(311)从安装凹槽(31)的槽底向槽口的方向延伸,并沿背离所述紫外LED(90)的方向倾斜,所述第一槽壁(311)所在平面与基板(10)所在平面形成的夹角β为75度~90度;
和/或,所述第二槽壁(313)上设置的所述反射层为镜面反射层或散射反射层;
和/或,所述第一槽壁(311)上设置的所述反射层为散射反射层;
和/或,所述紫外LED(90)通过连接层(91)设于所述基板(10),定义所述第一槽壁(311)的高度为H1,定义所述连接层(91)的高度为H2,定义所述紫外LED(90)的发光层(93)高度为H3,满足H2≤H1≤H3;
和/或,定义所述第一槽壁(311)距离所述紫外LED(90)的间距为D1,满足0umD150um;
和/或,定义所述内壳(30)于所述基板(10)上的高度为H4,定义所述紫外LED(90)于所述基板(10)上的高度为H5,满足H4H5;
所述内壳(30)于所述基板(10)上的高度为H4,满足200um≤H4≤600um。
4.如权利要求3所述的紫外封装器件,其特征在于,所述反射层的材质为BN纳米粒子材料,SiO2纳米粒子材料,ZrO纳米粒子材料,AlN纳米粒子材料,TiO2纳米粒子材料中的一种或多种的混合;
或,形成所述内壳(30)与所述外壳(50)的紫外反射材料为聚四氟乙烯材质;
或,所述基板(10)的材质为无机绝缘材质,所述镜片(70)的材质为深紫外透光材料;
或,所述内壳(30)的上表面于所述基板(10)上表面还设有另一安装凹槽(35),所述另一安装凹槽(35)被贴合于所述内壳(30)上表面的所述外壳(50)覆盖,所述另一安装凹槽(35)内设有保护元件。
5.如权利要求1所述的紫外封装器件,其特征在于,所述内壳(30)外周的一相对两侧面开设形成一贯通的第一插接入口(34),用以使得所述基板(10)通过所述第一插接入口(34)限位容置于所述内壳(30)的内腔;
所述外壳(50)外周的一相对两侧面开设形成一贯通的第二插接入口(54),用以使得所述基板(10)和所述内壳(30)通过所述第二插接入口(54)限位容置于所述外壳(50)的内腔;或,
所述内壳(30)外周的一侧面开设有第一插接入口(34),用以使得所述基板(10)通过所述第一插接入口(34)限位容置于所述内壳(30)的内腔;
所述外壳(50)外周的一侧面开设有第二插接入口(54),用以使得所述基板(10)和所述内壳(30)通过所述第二插接入口(54)限位容置于所述外壳(50)的内腔。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于广东中科半导体微纳制造技术研究院;中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,未经广东中科半导体微纳制造技术研究院;中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
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