[发明专利]一种紫外封装器件在审
申请号: | 202111487880.6 | 申请日: | 2021-12-06 |
公开(公告)号: | CN114188461A | 公开(公告)日: | 2022-03-15 |
发明(设计)人: | 李文博;孙钱;杨勇;张智聪;汤乐明;李光辉;王宏伟 | 申请(专利权)人: | 广东中科半导体微纳制造技术研究院;中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
主分类号: | H01L33/48 | 分类号: | H01L33/48;H01L33/60;H01L33/62;H01L33/52 |
代理公司: | 深圳市恒程创新知识产权代理有限公司 44542 | 代理人: | 王启蒙 |
地址: | 528000 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 紫外 封装 器件 | ||
本发明涉及紫外LED封装技术领域,涉及一种紫外封装器件。紫外封装器件包括基板、内壳、外壳、镜片。内壳围设于基板,内壳的内表面贴合于基板的上表面,内壳于基板的上表面形成安装凹槽,外壳围设于基板与内壳外部,并贴合于内壳的上表面,外壳于内壳的上方设有镜片,镜片将安装槽密封,其中,紫外LED设于安装凹槽内,内壳与外壳的由紫外反射材料形成。通过内壳与外壳层层包覆于基板,于基板上形成狭小的安装凹槽,以将紫外LED设置于该安装凹槽内,降低深紫外光的吸收概率,减小光损失,从而提高光的提取效率。
技术领域
本发明涉及紫外LED封装技术领域,特别涉及一种紫外封装器件。
背景技术
紫外线(ultraviolet,简称UV)是电磁波谱中波长从100nm到400nm辐射的总称。发光二极管(LED)的封装技术极大的制约着其光提取效率。紫外LED应用于固化、油墨印刷、医疗、以及杀菌、消毒等领域,在现今的日常生活和工业用途中越来越广泛。
深紫外LED由于在空气消毒、水净化、生化检测和光通信领域的潜在应用,引起了人们的关注。然而,深紫外LED的低光提取效率仍然不能满足目前的应用要求。
上述内容仅用于辅助理解本申请的技术方案,并不代表承认上述内容是现有技术。
发明内容
本发明的主要目的是提供一种紫外封装器件,旨在提高深紫外的光提取效率。
为实现上述目的,本发明提出的一种紫外封装器件,所述紫外封装器件包括:基板;
内壳,所述内壳围设于所述基板,所述内壳的内表面贴合于所述基板的上表面,并于所述基板上表面形成安装凹槽;
外壳,所述外壳围设于所述基板与所述内壳,并贴合于所述内壳的上表面,以及
镜片,所述外壳于所述内壳的上方设有所述镜片,所述镜片将所述安装凹槽密封;
其中,紫外LED设于所述安装凹槽内,所述内壳与所述外壳由紫外反射材料形成。
可选地,所述安装凹槽的槽壁与所述紫外LED之间设有第一间隙;
所述安装凹槽的槽壁包括靠近所述基板的第一槽壁,和背离所述基板的第二槽壁,所述第二槽壁从安装凹槽的槽底向槽口的方向延伸,并沿背离所述紫外LED的方向倾斜;
所述第一槽壁与所述第二槽壁表面设置有反射层。
可选地,所述第二槽壁所在平面与基板所在平面形成的夹角α为30度~75度;
和/或,所述第一槽壁从安装凹槽的槽底向槽口的方向延伸,并沿背离所述紫外LED的方向倾斜,所述第一槽壁所在平面与基板所在平面形成的夹角β为75度~90度;
和/或,所述第二槽壁上设置的所述反射层为镜面反射层或散射反射层;
和/或,所述第一槽壁上设置的所述反射层为散射反射层;
和/或,所述紫外LED通过连接层设于所述基板,定义所述第一槽壁的高度为H1,定义所述连接层的高度为H2,定义所述紫外LED的发光层高度为H3,满足H2≤H1≤H3;
和/或,定义所述第一槽壁距离所述紫外LED的间距为D1,满足0umD150um;
和/或,定义所述内壳于所述基板上的高度为H4,定义所述紫外LED于所述基板上的高度为H5,满足H4H5;
所述内壳于所述基板上的高度为H4,满足200um≤H4≤600um。
可选地,所述反射层的材质为BN纳米粒子材料,SiO2纳米粒子材料,ZrO纳米粒子材料,AlN纳米粒子材料,TiO2纳米粒子材料中的一种或多种的混合;
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于广东中科半导体微纳制造技术研究院;中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,未经广东中科半导体微纳制造技术研究院;中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
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