[发明专利]一种紫外封装器件在审

专利信息
申请号: 202111487880.6 申请日: 2021-12-06
公开(公告)号: CN114188461A 公开(公告)日: 2022-03-15
发明(设计)人: 李文博;孙钱;杨勇;张智聪;汤乐明;李光辉;王宏伟 申请(专利权)人: 广东中科半导体微纳制造技术研究院;中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
主分类号: H01L33/48 分类号: H01L33/48;H01L33/60;H01L33/62;H01L33/52
代理公司: 深圳市恒程创新知识产权代理有限公司 44542 代理人: 王启蒙
地址: 528000 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 紫外 封装 器件
【说明书】:

发明涉及紫外LED封装技术领域,涉及一种紫外封装器件。紫外封装器件包括基板、内壳、外壳、镜片。内壳围设于基板,内壳的内表面贴合于基板的上表面,内壳于基板的上表面形成安装凹槽,外壳围设于基板与内壳外部,并贴合于内壳的上表面,外壳于内壳的上方设有镜片,镜片将安装槽密封,其中,紫外LED设于安装凹槽内,内壳与外壳的由紫外反射材料形成。通过内壳与外壳层层包覆于基板,于基板上形成狭小的安装凹槽,以将紫外LED设置于该安装凹槽内,降低深紫外光的吸收概率,减小光损失,从而提高光的提取效率。

技术领域

本发明涉及紫外LED封装技术领域,特别涉及一种紫外封装器件。

背景技术

紫外线(ultraviolet,简称UV)是电磁波谱中波长从100nm到400nm辐射的总称。发光二极管(LED)的封装技术极大的制约着其光提取效率。紫外LED应用于固化、油墨印刷、医疗、以及杀菌、消毒等领域,在现今的日常生活和工业用途中越来越广泛。

深紫外LED由于在空气消毒、水净化、生化检测和光通信领域的潜在应用,引起了人们的关注。然而,深紫外LED的低光提取效率仍然不能满足目前的应用要求。

上述内容仅用于辅助理解本申请的技术方案,并不代表承认上述内容是现有技术。

发明内容

本发明的主要目的是提供一种紫外封装器件,旨在提高深紫外的光提取效率。

为实现上述目的,本发明提出的一种紫外封装器件,所述紫外封装器件包括:基板;

内壳,所述内壳围设于所述基板,所述内壳的内表面贴合于所述基板的上表面,并于所述基板上表面形成安装凹槽;

外壳,所述外壳围设于所述基板与所述内壳,并贴合于所述内壳的上表面,以及

镜片,所述外壳于所述内壳的上方设有所述镜片,所述镜片将所述安装凹槽密封;

其中,紫外LED设于所述安装凹槽内,所述内壳与所述外壳由紫外反射材料形成。

可选地,所述安装凹槽的槽壁与所述紫外LED之间设有第一间隙;

所述安装凹槽的槽壁包括靠近所述基板的第一槽壁,和背离所述基板的第二槽壁,所述第二槽壁从安装凹槽的槽底向槽口的方向延伸,并沿背离所述紫外LED的方向倾斜;

所述第一槽壁与所述第二槽壁表面设置有反射层。

可选地,所述第二槽壁所在平面与基板所在平面形成的夹角α为30度~75度;

和/或,所述第一槽壁从安装凹槽的槽底向槽口的方向延伸,并沿背离所述紫外LED的方向倾斜,所述第一槽壁所在平面与基板所在平面形成的夹角β为75度~90度;

和/或,所述第二槽壁上设置的所述反射层为镜面反射层或散射反射层;

和/或,所述第一槽壁上设置的所述反射层为散射反射层;

和/或,所述紫外LED通过连接层设于所述基板,定义所述第一槽壁的高度为H1,定义所述连接层的高度为H2,定义所述紫外LED的发光层高度为H3,满足H2≤H1≤H3;

和/或,定义所述第一槽壁距离所述紫外LED的间距为D1,满足0umD150um;

和/或,定义所述内壳于所述基板上的高度为H4,定义所述紫外LED于所述基板上的高度为H5,满足H4H5;

所述内壳于所述基板上的高度为H4,满足200um≤H4≤600um。

可选地,所述反射层的材质为BN纳米粒子材料,SiO2纳米粒子材料,ZrO纳米粒子材料,AlN纳米粒子材料,TiO2纳米粒子材料中的一种或多种的混合;

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