[发明专利]带保护膜的工件的制造方法及带保护膜形成膜的工件的制造方法在审
申请号: | 202111489764.8 | 申请日: | 2021-12-08 |
公开(公告)号: | CN114628285A | 公开(公告)日: | 2022-06-14 |
发明(设计)人: | 小桥力也 | 申请(专利权)人: | 琳得科株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L23/544 |
代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人: | 张晶;谢顺星 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 保护膜 工件 制造 方法 形成 | ||
1.一种带保护膜的工件的制造方法,其中,
形成依次层叠有工件、保护膜及支撑片的第四层叠体,
从所述支撑片侧对所述第四层叠体的所述保护膜进行激光照射,由此在所述保护膜与所述支撑片之间形成气体滞留的同时对所述保护膜的所述支撑片侧的表面进行激光打标。
2.根据权利要求1所述的带保护膜的工件的制造方法,其中,
形成层叠有保护膜形成膜及支撑片的保护膜形成用复合片,
在所述保护膜形成用复合片的所述保护膜形成膜上贴附工件,形成依次层叠有工件、保护膜形成膜及支撑片的第三层叠体,
对所述第三层叠体的保护膜形成膜进行固化处理,形成所述第四层叠体。
3.根据权利要求1所述的带保护膜的工件的制造方法,其中,
形成层叠有工件及保护膜形成膜的第一层叠体,
对所述第一层叠体的所述保护膜形成膜进行固化处理,形成层叠有工件及保护膜的第二层叠体,
在所述第二层叠体的所述保护膜上贴附支撑片,形成所述第四层叠体。
4.根据权利要求1所述的带保护膜的工件的制造方法,其中,
形成层叠有工件及保护膜形成膜的第一层叠体,
在所述第一层叠体的所述保护膜形成膜上贴附支撑片,形成依次层叠有工件、保护膜形成膜及支撑片的第三层叠体,
对所述第三层叠体的所述保护膜形成膜进行固化处理,形成所述第四层叠体。
5.根据权利要求1~4中任一项所述的带保护膜的工件的制造方法,其中,
所述支撑片在基材上层叠有粘着剂层,所述第四层叠体依次层叠有工件、保护膜、所述粘着剂层及所述基材。
6.一种带保护膜形成膜的工件的制造方法,其中,
形成依次层叠有工件、保护膜形成膜及支撑片的第三层叠体,
从所述支撑片侧对所述第三层叠体的所述保护膜形成膜进行激光照射,由此在所述保护膜形成膜与所述支撑片之间形成气体滞留的同时对所述保护膜形成膜的所述支撑片侧的表面进行激光打标。
7.根据权利要求6所述的带保护膜形成膜的工件的制造方法,其中,
形成层叠有保护膜形成膜及支撑片的保护膜形成用复合片,
在所述保护膜形成用复合片的所述保护膜形成膜上贴附工件,形成所述第三层叠体。
8.根据权利要求6所述的带保护膜形成膜的工件的制造方法,其中,
形成层叠有工件及保护膜形成膜的第一层叠体,
在所述第一层叠体的所述保护膜形成膜上贴附支撑片,形成依次层叠有工件、保护膜形成膜及支撑片的第三层叠体。
9.根据权利要求6~8中任一项所述的带保护膜形成膜的工件的制造方法,其中,
所述支撑片在基材上层叠有粘着剂层,所述第三层叠体依次层叠有所述工件、所述保护膜形成膜、所述粘着剂层及所述基材。
10.一种带保护膜的工件的制造方法,其中,对通过权利要求6~9中任一项所述的方法得到的带保护膜形成膜的工件的激光打标后的所述保护膜形成膜进行固化处理。
11.一种带保护膜的工件的制造方法,其中,对通过权利要求1~5中任一项所述的方法得到的带保护膜的工件进行加压处理或加热处理,使所述气体滞留消失。
12.一种带保护膜形成膜的工件的制造方法,其中,对通过权利要求6~9中任一项所述的方法得到的带保护膜形成膜的工件进行加压处理或加热处理,使所述气体滞留消失。
13.一种带保护膜的工件的制造方法,其中,对通过权利要求10所述的方法得到的带保护膜的工件进行加压处理或加热处理,使所述气体滞留消失。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于琳得科株式会社,未经琳得科株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202111489764.8/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:无线通信系统中指示聚合数的方法和设备
- 下一篇:固定装置和固定装置的应用
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造