[发明专利]带保护膜的工件的制造方法及带保护膜形成膜的工件的制造方法

说明书

本发明提供一种带保护膜的工件的制造方法，其中，形成依次层叠有工件(14)、保护膜(13’)及支撑片(10)的第四层叠体，从支撑片(10)侧对所述第四层叠体的所述保护膜(13’)进行激光照射，由此在保护膜(13’)与支撑片(10)之间形成气体滞留(30)的同时对保护膜(13’)的支撑片(10)侧的表面进行激光打标。

技术领域

本发明涉及带保护膜的工件的制造方法及带保护膜形成膜的工件的制造方法。详细而言，涉及一种依次具备半导体晶圆等工件、保护所述工件的保护膜及支撑片并对所述保护膜的所述支撑片侧的表面进行了激光打标的带保护膜的工件的制造方法，以及一种依次具备工件、保护膜形成膜及支撑片且对所述保护膜形成膜的所述支撑片侧的表面进行了激光打标的带保护膜形成膜的工件的制造方法。

本申请基于2020年12月10日于日本申请的日本特愿2020-205010号主张优先权，并将其内容援用于此。

背景技术

近年来，正在制造应用了被称作所谓倒装(face down)方式的安装方法的半导体装置。在倒装方式中，使用在电路面上具有凸点(bump)等电极的半导体芯片，所述电极与基板接合。因此，有时会露出半导体芯片的与电路面相反一侧的背面。

有时会在该露出的半导体芯片的背面形成作为保护膜的含有有机材料的树脂膜，以带保护膜的半导体芯片的方式被安装在半导体装置中。保护膜用于防止在切割工序或封装后在半导体芯片上产生裂纹(例如，专利文献1～5)。

这样的带保护膜的半导体芯片例如可经过图12所示的工序进行制造。即，已知有如下方法：在具有电路面的半导体晶圆8的背面8b上，层叠将保护膜形成膜13及支撑片10一体化而成的保护膜形成用复合片1(图12中的(A))，根据需要剥离电路面保护用胶带17(图12中的(B))，使保护膜形成膜13热固化或能量射线固化而制成保护膜13’(图12中的(C))，对保护膜13’的支撑片10侧的表面进行激光打标(图12中的(D))，切割半导体晶圆8及保护膜13’(图12中的(E))，从支撑片10上拾取带保护膜的半导体芯片7(图12中的(F))。

其中，对于在图12中的(D)中进行激光打标的装置与在图12中的(E)中切割半导体晶圆8及保护膜13’的装置，使用了不同的装置。例如，在图12中的(D)中进行激光打标后的第四层叠体19’(半导体晶圆8等工件、保护膜13’及支撑片10的层叠体)以带有环形框架等固定用夹具18的状态被收纳并保存在晶圆框架盒(frame cassette)或晶舟盒(frame box)(膜式晶圆框架出货盒、film frame shipper)中，大多情况下经由人工搬运至激光打标装置外。

此外，还已知有如图13所示的如下方法：在具有电路面的半导体晶圆8的背面8b层叠将保护膜形成膜13及支撑片10一体化而成的保护膜形成用复合片1(图13中的(A))，根据需要剥离电路面保护用胶带17(图13中的(B))，对保护膜形成膜13的支撑片10侧的表面进行激光打标(图13中的(D’))，使保护膜形成膜13热固化或能量射线固化而制成保护膜13’(图13中的(C’))，切割半导体晶圆8及保护膜13’(图13中的(E))，从支撑片10上拾取带保护膜的半导体芯片7(图13中的(F))。

其中，对于在图13(D’)中进行激光打标的装置、在图13(C’)中进行热固化或能量射线固化的装置及在图13(E)中切割半导体晶圆8及保护膜13’的装置，也使用了不同的装置。例如，在图13(D’)中进行激光打标后的第三层叠体19(半导体晶圆8等工件、保护膜形成膜13及支撑片10的层叠体)以带有环形框架等固定用夹具18的状态被收纳并保存在框架盒或框架箱(膜式框架箱)中，大多情况下经由人工搬运至激光打标装置外。第四层叠体19’也同样被收纳并保存在框架盒或框架箱(膜式框架箱)中，大多情况下经由人工搬运至进行热固化或能量射线固化的装置外。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：国际公开第2014/157426号