[发明专利]一种检测半导体晶片厚度的检测装置

权利要求书

1.一种检测半导体晶片厚度的检测装置，其特征在于：其包括：

检测基座(1)；

调节伸缩架(2)，竖直固定在所述检测基座(1)的上端面一侧；

固定架(3)，横向固定在所述调节伸缩架的上方；

承载基板(5)，水平架空固定在所述检测基座(1)的上端面，所述承载基板(5)用于对半导体晶片进行水平盛放；以及

位移测量组件(4)，竖直设置在所述固定架(3)上位于所述承载基板(5)的中部，所述位移测量组件(4)能够在竖向位移中对半导体晶片四周边缘厚度进行测量。

2.根据权利要求1所述的一种检测半导体晶片厚度的检测装置，其特征在于：所述位移测量组件(4)包括：

安装盘件(41)；

伸缩导杆(43)，竖直固定在所述安装盘件(41)的下端面，所述伸缩导杆(43)被构造成两段式可伸缩结构；

电动伸缩杆(42)，竖直对称设置在所述安装盘件(41)上位于伸缩导杆(43)的两侧位置；以及

多点测量装置(6)，设置在所述伸缩导杆(43)的下方，用于对半导体晶片进行横纵边缘定位测量。

3.根据权利要求2所述的一种检测半导体晶片厚度的检测装置，其特征在于：还包括：

内转动盘(44)，可相对转动嵌入设置在所述固定架(3)内，所述安装盘件(41)同轴固定在所述内转动盘(44)的下方；

驱动电机(45)，安装在所述固定架(3)上，所述驱动电机(45)的输出端通过伞齿轮啮合作用与所述内转动盘(44)连接传动。

4.根据权利要求2所述的一种检测半导体晶片厚度的检测装置，其特征在于：所述多点测量装置(6)包括：

支撑主架(61)；

定位轴套(62)，竖直固定在所述支撑主架(61)内，所述定位轴套(62)内同轴设置有内支杆(63)；

定位件(64)，固定在所述内支杆(63)的下端；

伸缩轴杆(65)，竖直固定在所述支撑主架(61)上，所述伸缩轴杆(65)上横向固定有接触横板(66)；

激光射线装置(67)，横向固定在所述接触横板(66)上，所述激光射线装置(67)的射线端垂直照射在所述内支杆(63)上；以及

精调复测装置(7)，竖直设置在所述支撑主架(61)上，用于对伸缩轴杆(65)的位移伸缩长度进行二次测量。

5.根据权利要求3所述的一种检测半导体晶片厚度的检测装置，其特征在于：还包括：

内调螺件(68)，通过螺纹啮合作用竖直滑动设置在所述定位轴套(62)内，所述内支件(63)的一端同轴转动设置在所述内调螺件(68)上，并由所述内调螺件(68)的旋转调节作用使得所述定位件(64)在初始状态下与所述接触横板(66)相齐平，所述内支杆(63)上还设有刻度条。

6.根据权利要求4所述的一种检测半导体晶片厚度的检测装置，其特征在于：所述接触横板(66)的下方还开设有安装凹位，所述安装凹位中可拆卸的设置有标准块。

7.根据权利要求4所述的一种检测半导体晶片厚度的检测装置，其特征在于：所述精调复测装置(7)包括：

密封管(71)，竖直固定在所述接触横板(66)内；

内轴塞(72)，可相对滑动的设置在所述密封管(71)内，所述密封管(71)中定量存设有流动液；

上轴管(73)，设置在所述密封管(71)的上方，所述上轴管(73)的一端与所述密封管(71)相连通；

套管件(74)，同轴贴合设置在所述上轴管(73)内，所述套管件(74)中滑动设置有排流液管(8)；以及

微型伸缩杆(76)，竖直对称设置在所述上轴管(73)外，所述微型伸缩杆(76)的一端固定有外轴盘，所述外轴盘通过传接杆与所述排流液管(8)相连接。

8.根据权利要求7所述的一种检测半导体晶片厚度的检测装置，其特征在于：所述排流液管(8)通过密封环件(75)密封滑动在所述套管件(74)内，且所述排流液管(8)的内壁中开设有球形排流槽，所述球形排流槽与上轴管(73)上均设有刻度条。