[发明专利]图像传感器在审
申请号: | 202111492822.2 | 申请日: | 2021-12-08 |
公开(公告)号: | CN114639691A | 公开(公告)日: | 2022-06-17 |
发明(设计)人: | 郑有珍;郑闵至;赵鼎镇 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 赵南;李竞飞 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 图像传感器 | ||
1.一种图像传感器,包括:
基板,其包括在第一方向上彼此相对的第一表面和第二表面,所述基板包括在平行于所述第一表面的方向上布置的多个单位像素;
第一光电二极管和第二光电二极管,其在所述多个单位像素中的每一个中位于所述基板的内部,并且在与所述第一方向垂直的第二方向上彼此分离;以及
器件隔离膜,其位于所述多个单位像素之间,
其中,在所述多个单位像素当中,在与所述第一方向和所述第二方向垂直的第三方向上并排的至少成对的像素共用微透镜,以及
所述多个单位像素中的至少一个包括位于所述基板上方的光屏蔽膜。
2.根据权利要求1所述的图像传感器,其中,所述成对的像素中的一个像素包括所述光屏蔽膜。
3.根据权利要求2所述的图像传感器,其中,在垂直于所述第一方向的平面上,所述光屏蔽膜的面积对应于所述多个单位像素中的一个单位像素的面积。
4.根据权利要求1所述的图像传感器,其中,与所述成对的像素不同的多个屏蔽像素包括所述光屏蔽膜。
5.根据权利要求4所述的图像传感器,其中,在垂直于所述第一方向的平面上,所述光屏蔽膜的面积对应于所述单位像素的面积的一半。
6.根据权利要求4所述的图像传感器,其中,所述多个屏蔽像素在所述第二方向和所述第三方向上彼此不相邻。
7.根据权利要求4所述的图像传感器,其中,所述成对的像素中的一个像素包括具有与所述多个屏蔽像素的光屏蔽膜的面积不同的面积的光屏蔽膜。
8.根据权利要求7所述的图像传感器,其中,所述成对的像素和所述多个屏蔽像素包括相同颜色的滤色器。
9.一种图像传感器,包括:
基板,其包括在第一方向上彼此相对的第一表面和第二表面,所述基板包括在平行于所述第一表面的方向上布置的多个单位像素;
第一光电二极管和第二光电二极管,其在所述多个单位像素中的每一个中位于所述基板的内部,并且在与所述第一方向垂直的第二方向上彼此分离;以及
器件隔离膜,其位于所述多个单位像素之间,
其中,在所述多个单位像素当中,在与所述第一方向和所述第二方向垂直的第三方向上并排的至少成对的像素共用在所述第二方向上并排的多个微透镜,以及
所述多个微透镜中的每一个位于两个第一光电二极管或两个第二光电二极管上。
10.根据权利要求9所述的图像传感器,其中,所述多个单位像素中的至少一个包括位于所述基板上方的光屏蔽膜。
11.一种图像传感器,包括:
像素阵列,其包括在平行于基板的上表面的方向上布置的多个像素组,所述多个像素组中的每一个包括至少一个单位像素;以及
像素电路,其从包括在所述多个像素组中的单位像素获得像素信号,
其中,所述单位像素由在第一方向上延伸的器件隔离膜限定,所述第一方向垂直于所述基板的上表面,
所述单位像素中的每一个包括在垂直于所述第一方向的第二方向上彼此隔开的第一光电二极管和第二光电二极管、以及在所述基板的第一表面上的滤色器,
所述多个像素组中的至少一个包括多个屏蔽像素,所述多个屏蔽像素包括至少在所述第一方向上与所述第一光电二极管的一部分和所述第二光电二极管的一部分重叠的多个光屏蔽膜,以及
所述多个屏蔽像素包括具有与不包括所述光屏蔽膜的单位像素中所包括的滤色器的颜色不同的颜色的滤色器。
12.根据权利要求11所述的图像传感器,其中,所述多个像素组中的每一个包括4或9个单位像素。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的