[发明专利]图像传感器在审
申请号: | 202111492822.2 | 申请日: | 2021-12-08 |
公开(公告)号: | CN114639691A | 公开(公告)日: | 2022-06-17 |
发明(设计)人: | 郑有珍;郑闵至;赵鼎镇 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 赵南;李竞飞 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 图像传感器 | ||
公开了一种图像传感器。该图像传感器包括:基板,该基板包括在平行于基板的第一表面的方向上布置的多个单位像素;第一光电二极管和第二光电二极管,在基板的内部位于多个单位像素中的每一个中,并且在垂直于第一方向的第二方向上彼此分离;以及器件隔离膜,位于多个单位像素之间。在多个单位像素当中,在与第一方向和第二方向垂直的第三方向上并排的成对的像素共用微透镜,并且多个单位像素中的至少一个包括位于基板上的光屏蔽膜。因此,在图像传感器中,在保持现有的光电二极管形成工艺的同时,可以补充竖直方向上的自动聚焦功能,并且进一步,可以改善图像传感器的性能。
相关申请的交叉引用
本申请要求于2020年12月16日提交至韩国知识产权局的韩国专利申请No.10-2020-0176127的优先权,该申请的全部内容出于所有目的以引用方式并入本文中。
技术领域
本发明构思涉及图像传感器。
背景技术
图像传感器是接收光并生成电信号的基于半导体的传感器,并且可以包括具有多个单位像素的像素阵列、用于驱动像素阵列并生成图像的电路。图像传感器可以应用于诸如用于拍摄图像或移动图像的相机的数字图像处理装置,并且需要检测用于自动聚焦的成像镜头的焦点调节的状态。与包括仅用于与图像传感器分开地检测焦点的元件的现有技术的数字图像处理设备不同,近来,已经开发了使用检测相位差的方法的自动聚焦图像传感器。然而,存在的问题在于,与水平方向上的自动聚焦性能相比,竖直方向上的自动聚焦性能相对较差,因此,期望改进。
发明内容
示例实施例提供了具有改进的性能的图像传感器,其中,使用包括光屏蔽膜和在竖直方向上延伸的微透镜的图像传感器,在竖直方向上补充自动聚焦功能。
根据示例实施例,一种图像传感器包括:基板,其包括在第一方向上彼此相对的第一表面和第二表面,基板包括在平行于第一表面的方向上布置的多个单位像素;第一光电二极管和第二光电二极管,其在多个单位像素中的每一个中位于基板的内部,并且在与第一方向垂直的第二方向上彼此分离;以及器件隔离膜,其位于多个单位像素之间。在多个单位像素当中,在与第一方向和第二方向垂直的第三方向上并排的至少成对的像素共用微透镜,并且多个单位像素中的至少一个包括位于基板上方的光屏蔽膜。
根据示例实施例,一种图像传感器包括:基板,其包括在第一方向上彼此相对的第一表面和第二表面,基板包括在平行于第一表面的方向上布置的多个单位像素;第一光电二极管和第二光电二极管,其在多个单位像素中的每一个中位于基板的内部,并且在与第一方向垂直的第二方向上彼此分离;以及器件隔离膜,其位于多个单位像素之间。在多个单位像素当中,在与第一方向和第二方向垂直的第三方向上并排的至少成对的像素共用在第二方向上并排的多个微透镜,并且多个微透镜中的每一个位于两个第一光电二极管或第二光电二极管上。
根据示例实施例,一种图像传感器包括:像素阵列,其包括在平行于基板的上表面的方向上布置的多个像素组,多个像素组中的每一个包括至少一个单位像素;以及像素电路,其从包括在多个像素组中的单位像素获得像素信号。单位像素由在垂直于基板的上表面的第一方向上延伸的器件隔离膜限定,单位像素中的每一个包括在垂直于第一方向的第二方向上彼此间隔开的第一光电二极管和第二光电二极管以及在基板的第一表面上的滤色器,多个像素组中的至少一个包括多个屏蔽像素,多个屏蔽像素包括至少在第一方向上与第一光电二极管的一部分和第二光电二极管的一部分重叠的多个光屏蔽膜,并且多个屏蔽像素包括具有与不包括光屏蔽膜的单位像素中所包括的滤色器的颜色不同的颜色的滤色器。
附图说明
从下面结合附图的详细描述中,将更清楚地理解本发明构思的上述和其它方面、特征和优点,在附图中:
图1是示意性地示出根据一些示例实施例的图像传感器的框图;
图2是根据一些示例实施例的包括在图像传感器中的像素阵列的电路图;
图3是根据一些示例实施例的图像传感器的顶视图;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的