[发明专利]过孔刻蚀方法和过孔刻蚀装置在审

专利信息
申请号: 202111493350.2 申请日: 2021-12-08
公开(公告)号: CN114267587A 公开(公告)日: 2022-04-01
发明(设计)人: 梅运柱;贾马龙;常李阳;张子曰;曹志文;李伟华;李阳 申请(专利权)人: 合肥维信诺科技有限公司
主分类号: H01L21/311 分类号: H01L21/311;H01L21/66;H01L21/67;H01L21/77
代理公司: 北京华进京联知识产权代理有限公司 11606 代理人: 吴娜娜
地址: 230000 安徽省合*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 刻蚀 方法 装置
【权利要求书】:

1.一种过孔刻蚀方法,其特征在于,包括:

提供基板(100),所述基板(100)的一侧层叠设置有第一膜层(110)和第二膜层(120),所述第二膜层(120)设置于所述第一膜层(110)远离所述基板(100)的一侧;

在由所述第二膜层(120)朝向所述基板(100)的方向,在所述第二膜层(120)的表面刻蚀过孔(200);

当刻蚀所述过孔(200)产生的生成物的光强变化率到第一预设值时,通过控制刻蚀时间控制所述过孔(200)在所述第一膜层(110)的刻蚀的深度。

2.如权利要求1所述的过孔刻蚀方法,其特征在于,所述过孔(200)包括第一过孔(210)和第二过孔(220),所述第一膜层(110)和所述第二膜层(120)之间还设置有第一标记层(310),所述第一标记层(310)的材料与所述第一膜层(110)和所述第二膜层(120)的材料不同,所述第一标记层(310)设置于刻蚀所述第二过孔(220)的路径上;

所述在由所述第二膜层(120)朝向所述基板(100)的方向,在所述第二膜层(120)的表面刻蚀过孔(200)包括:

在由所述第二膜层(120)朝向所述基板(100)的方向,在所述第二膜层(120)的表面同时刻蚀第一过孔(210)和第二过孔(220),并监测刻蚀所述第一标记层(310)的生成物的光强变化率;

所述当刻蚀所述过孔(200)产生的生成物的光强变化率到第一预设值时,通过控制刻蚀时间控制所述过孔(200)在所述第一膜层(110)的刻蚀的深度包括:

当刻蚀所述第一标记层(310)的生成物的光强变化率到所述第一预设值时,通过控制刻蚀时间控制所述第一过孔(210)在所述第一膜层(110)的刻蚀的深度。

3.如权利要求2所述的过孔刻蚀方法,其特征在于,所述第一膜层(110)和所述第二膜层(120)包括非金属材料,所述第一标记层(310)包括金属材料。

4.如权利要求3所述的过孔刻蚀方法,其特征在于,所述基板(100)包括显示区,所述第二过孔(220)和所述第一标记层(310)位于所述显示区,所述第一标记层(310)用于形成信号走线。

5.如权利要求4所述的过孔刻蚀方法,其特征在于,所述第一过孔(210)位于所述显示区,所述基板(100)和所述第一膜层(110)之间设置沟道层(400),所述沟道层(400)设置于所述刻蚀所述第一过孔(210)的路径上;

所述当刻蚀所述过孔(200)产生的生成物的光强变化率到第一预设值时,通过控制刻蚀时间控制所述过孔(200)在所述第一膜层(110)的刻蚀的深度包括:

当刻蚀所述第一标记层(310)的生成物的光强变化率到所述第一预设值时,通过控制刻蚀时间控制所述第一过孔(210)与所述沟道层(400)接触的位置。

6.如权利要求2所述的过孔刻蚀方法,其特征在于,所述第二膜层(120)远离所述基板(100)的一侧依次设置有第二标记层(320)和第三膜层(130),所述过孔(200)还包括第三过孔(230),所述第二标记层(320)设置于刻蚀所述第三过孔(230)的路径上,所述第二标记层(320)和所述第三膜层(130)的材料不同;

所述在由所述第二膜层(120)朝向所述基板(100)的方向,在所述第二膜层(120)的表面刻蚀过孔(200)包括:

在由所述第二膜层(120)朝向所述基板(100)的方向,在所述第三膜层(130)的表面同时刻蚀所述第一过孔(210)、所述第二过孔(220)和所述第三过孔(230),并监测刻蚀所述第三膜层(130)产生的生成物的光强变化率;

当刻蚀所述第三膜层(130)的生成物的光强变化率到第二预设值时,监测刻蚀所述第一标记层(310)产生的生成物的光强变化率。

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