[发明专利]过孔刻蚀方法和过孔刻蚀装置在审
申请号: | 202111493350.2 | 申请日: | 2021-12-08 |
公开(公告)号: | CN114267587A | 公开(公告)日: | 2022-04-01 |
发明(设计)人: | 梅运柱;贾马龙;常李阳;张子曰;曹志文;李伟华;李阳 | 申请(专利权)人: | 合肥维信诺科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/311 | 分类号: | H01L21/311;H01L21/66;H01L21/67;H01L21/77 |
代理公司: | 北京华进京联知识产权代理有限公司 11606 | 代理人: | 吴娜娜 |
地址: | 230000 安徽省合*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 刻蚀 方法 装置 | ||
本申请涉及一种过孔刻蚀方法和过孔刻蚀装置,先由第二膜层朝向基板的方向,在第二膜层的表面刻蚀过孔。当刻蚀过孔产生的生成物的光强变化率到第一预设值时,说明刻蚀过孔的位置到达第一膜层和第二膜层的界面。然后继续刻蚀第一膜层形成过孔。在第二膜层刻蚀过孔时,通过监测过孔产生的生成物的光强变化率能够大致判断过孔的刻蚀位置。通过生成物的光强变化率判断过孔刻蚀的位置可能会有监测延迟带来的误差。由于第一膜层厚度已知,第一膜层的材料材质和密度相对均匀,因此刻蚀第一膜层的速率容易控制。在刻蚀过孔的最后阶段,通过控制刻蚀时间控制过孔在第一膜层的刻蚀的深度,能够提高刻蚀第一过孔的终点位置的精度。
技术领域
本申请涉及显示技术领域,特别是涉及一种过孔刻蚀方法和过孔刻蚀装置。
背景技术
在显示面板的制作过程中,通过刻蚀形成过孔是常用的工艺。但是现有技术中,孔内刻蚀存在一定的缺陷,严重影响了显示面板的良率。
发明内容
基于此,有必要针对上述技术问题,提供一种过孔刻蚀方法和过孔刻蚀装置。
本申请实施例提供一种过孔刻蚀方法,包括:
提供基板,所述基板的一侧层叠设置有第一膜层和第二膜层,所述第二膜层设置于所述第一膜层远离所述基板的一侧;
在由所述第二膜层朝向所述基板的方向,在所述第二膜层的表面刻蚀过孔;
当刻蚀所述过孔产生的生成物的光强变化率到第一预设值时,通过控制刻蚀时间控制所述过孔在所述第一膜层的刻蚀的深度。
在一个实施例中,所述过孔包括第一过孔和第二过孔,所述第一膜层和所述第二膜层之间还设置有第一标记层,所述第一标记层的材料与所述第一膜层和所述第二膜层的材料不同,所述第一标记层设置于刻蚀所述第二过孔的路径上;
所述在由所述第二膜层朝向所述基板的方向,在所述第二膜层的表面刻蚀过孔包括:
在由所述第二膜层朝向所述基板的方向,在所述第二膜层的表面同时刻蚀第一过孔和第二过孔,并监测刻蚀所述第一标记层的生成物的光强变化率;
所述当刻蚀所述过孔产生的生成物的光强变化率到第一预设值时,通过控制刻蚀时间控制所述过孔在所述第一膜层的刻蚀的深度包括:
当刻蚀所述第一标记层的生成物的光强变化率到所述第一预设值时,通过控制刻蚀时间控制所述第一过孔在所述第一膜层的刻蚀的深度。
本实施例中,由于刻蚀所述第一过孔和所述第二过孔的相同。因此根据所述第二过孔的位置可以判断所述第一过孔的位置。
在继续刻蚀时,所述第一过孔的刻蚀终点可以位于所述第一膜层。由于所述第一膜层的材料和厚度为已知。因此可以通过经验值或者计算得到在所述第一膜层的刻蚀速率。此时仅通过控制刻蚀时间即可控制所述第一过孔在所述第一膜层的刻蚀的深度,控制精度更高。
在一个实施例中,所述第一膜层和所述第二膜层包括非金属材料,所述第一标记层包括金属材料。
本实施例中,金属材料和非金属材料的被刻蚀后生成物的光强具有较大的差异,因此便于监测。
在一个实施例中,所述基板包括显示区,所述第二过孔和所述第一标记层位于所述显示区,所述第一标记层用于形成信号走线。
本实施例中,将形成所述信号走线的膜层作为所述第一标记层,可以利用现有的膜层对所述第二过孔的刻蚀位置进行定位,能够简化工艺。
在一个实施例中,所述第一过孔位于所述显示区,所述基板和所述第一膜层之间设置沟道层,所述沟道层设置于所述刻蚀所述第一过孔的路径上,所述当刻蚀所述过孔产生的生成物的光强变化率到第一预设值时,通过控制刻蚀时间控制所述过孔在所述第一膜层的刻蚀的深度包括:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造