[发明专利]射频裸晶片测试系统和测试方法有效
申请号: | 202111495073.9 | 申请日: | 2021-12-09 |
公开(公告)号: | CN113903675B | 公开(公告)日: | 2022-02-18 |
发明(设计)人: | 倪卫华;郑朝晖 | 申请(专利权)人: | 江山季丰电子科技有限公司;上海季丰电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;G01R1/04;G01R31/26 |
代理公司: | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人: | 刘桐亚 |
地址: | 324199 浙江省衢州*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 射频 晶片 测试 系统 方法 | ||
1.一种射频裸晶片测试系统,其特征在于,包括:电源设备、信号发生器、信号分析仪、控制信号发射主板、上位机、预设COB板和多个射频探针;其中,所述预设COB板上放置待测射频裸晶片,且所述待测射频裸晶片的低频引脚与所述预设COB板上的焊盘通过打线的方式一一对应连接;所述预设COB板上的每个焊盘与所述预设COB板上的每个接线端子一一对应连接;
所述上位机分别与所述电源设备、所述信号发生器、所述信号分析仪和所述控制信号发射主板相连接;所述信号发生器通过第一射频探针与所述待测射频裸晶片的射频输入引脚相连接;所述信号分析仪通过第二射频探针与所述待测射频裸晶片的射频输出引脚相连接;
所述电源设备的输出端与所述预设COB板上的电源接线端子相连接;其中,所述电源接线端子为与所述待测射频裸晶片的电源引脚相连接的焊盘所对应的接线端子;
所述控制信号发射主板的输出端与所述预设COB板上的目标接线端子相连接;其中,所述目标接线端子为与所述待测射频裸晶片的控制引脚相连接的焊盘所对应的接线端子;
所述电源设备用于在所述上位机的控制下为所述待测射频裸晶片供电;
所述上位机用于控制所述控制信号发射主板发送模式控制信号至所述待测射频裸晶片,以配置所述待测射频裸晶片的工作模式;
所述信号发生器用于在所述上位机的控制下通过所述第一射频探针向所述射频输入引脚发送第一射频信号;
所述信号分析仪用于通过所述第二射频探针接收并分析所述射频输出引脚发送的第二射频信号,得到信号分析结果,并将所述信号分析结果发送至所述上位机。
2.根据权利要求1所述的射频裸晶片测试系统,其特征在于,所述预设COB板上设有底部支撑部件;所述底部支撑部件用于使得所述预设COB板在放置平面上悬空。
3.根据权利要求2所述的射频裸晶片测试系统,其特征在于,所述底部支撑部件为可伸缩部件。
4.根据权利要求2所述的射频裸晶片测试系统,其特征在于,所述底部支撑部件的数量大于3。
5.根据权利要求1所述的射频裸晶片测试系统,其特征在于,所述预设COB板的电源焊盘周围设有电源滤波电路;其中,所述电源焊盘为与所述待测射频裸晶片的电源引脚相连接的焊盘。
6.根据权利要求5所述的射频裸晶片测试系统,其特征在于,所述电源滤波电路包括:去耦电容。
7.根据权利要求1所述的射频裸晶片测试系统,其特征在于,所述预设COB板的目标焊盘周围设有预设外围电路;其中,所述目标焊盘为与所述待测射频裸晶片的控制引脚相连接的焊盘。
8.根据权利要求1所述的射频裸晶片测试系统,其特征在于,所述待测射频裸晶片的低频引脚根据引脚排列顺序并遵循互不交叉的规则与所述预设COB板上的焊盘相连接。
9.一种射频裸晶片测试方法,其特征在于,所述方法应用于上述权利要求1-8中任一项所述的射频裸晶片测试系统,所述方法包括:
控制电源设备为待测射频裸晶片供电;
控制控制信号发射主板发送模式控制信号至所述待测射频裸晶片,以配置所述待测射频裸晶片的工作模式;
控制信号发生器通过第一射频探针向所述待测射频裸晶片的射频输入引脚发送第一射频信号;
接收信号分析结果;其中,所述信号分析结果为信号分析仪通过所述待测射频裸晶片的第二射频探针接收并分析所述射频输出引脚发送的第二射频信号得到的结果。
10.根据权利要求9所述的射频裸晶片测试方法,其特征在于,所述方法还包括:
获取所述待测射频裸晶片中所有引脚的电气参数;其中,所述电气参数包括:工作频率和引脚功能;
基于所述电气参数将所述待测射频裸晶片中的引脚进行分类,得到引脚分类结果;其中,所述分类结果包括:射频引脚和低频引脚。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造