[发明专利]镀层结构及制作方法

说明书

本发明提供一种镀层结构及制作方法，所述镀层结构包括：基板，所述基板上贴装有电子元件，所述电子元件外包封有塑封层，所述塑封层包括电磁屏蔽区域和非电磁屏蔽区域；所述电磁屏蔽区域外覆盖电磁屏蔽镀层；其中，所述电磁屏蔽区域的第一表面高于或者低于所述非电磁屏蔽区域的第二表面，且所述电磁屏蔽镀层还包括开窗，所述开窗对应于所述非电磁屏蔽区域。镀层结构的塑封层的电磁屏蔽区域和非电磁屏蔽区域存在高度差，利用此高度差，极易移除非电磁屏蔽区域的电磁屏蔽镀层形成的电磁屏蔽度镀层开窗，因此，可有效改善现有的开窗工艺存在的残胶、镀层碎屑、器件损伤等问题。

技术领域

本发明属于半导体封装技术领域，特别关于一种镀层结构及制作方法。

背景技术

半导体封装是一种将半导体芯片电性与基板进行电性连接，利用封装胶体对半导体芯片以及基板进行保护，避免外界水气和污染物的侵害。为了避免电磁干扰，导致半导体封装元器件的电性功能不正常，通常需要在半导体封装元器件的塑封层外溅镀电磁屏蔽层。然而，对于带天线的半导体封装元器件，电磁屏蔽层对应于天线的特定区域需要部分开窗，方便天线对外传输和接收信号。

目前，传统特定区域磁控溅射镀层开窗的方法包括遮挡法和直接去除法。

如图1所示，胶带遮挡法是指，取一耐高温胶带利用机械上下道具冲切的技术使得以纵向方式冲切成片，之后将耐高温胶带6黏贴到需要开窗的位置；将贴好耐高温胶带6的封装体放入磁控溅镀机进行镀层作业，磁控溅射作业一般会形成连续的镀层5，此刻高温胶带6顶部也被连续的镀层5覆盖；将溅镀好的封装体表面的耐高温胶带6撕除，耐高温胶带6覆盖区域制备出镀层5的开窗5a。

其中，封装体包括基板1，基板1上贴装有电子元件2和天线3，电子元件2和天线3外包封塑封层4，塑封层4外侧覆盖有镀层5，镀层5的开窗5a和天线3对应，方便天线3的电信号传输和接收。

直接去除法是指，将溅镀好的封装体表面的镀层的特定区域(对应天线的区域)，直接用刮刀刮除镀层。

胶带遮挡法的缺点在于：高温胶带经过物理冲切过程中尺寸稳定性差，冲切后的胶带尺寸精度差，并且切割边缘有胶拉丝，影响后续作业；冲切好特定尺寸的高温胶带需要贴到指定镀层开窗位置的过程中，贴附精度差，并且容易出现褶皱；溅镀后耐高温胶带的撕除困难，而撕掉后耐高温胶带的区域容易出现残胶和镀层碎屑，影响封装体外观和性能。

直接去除法的缺点在于：开窗位置精度低、容易出现器件损伤、镀层碎屑等，影响封装体外观和性能。

有鉴于此，需要提供一种新的镀层结构和制作工艺以克服传统镀层特定区域开窗的问题。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是针对上述现有技术，提出一种镀层结构及制作方法，以解决传统的胶带遮挡法和直接去除法进行特定区域开窗带来的精度差、残胶、镀层碎屑、器件损伤等问题。

为解决上述问题，本发明技术方案提供了一种镀层结构，所述镀层结构包括：基板，所述基板上贴装有电子元件，所述电子元件外包封有塑封层，所述塑封层包括电磁屏蔽区域和非电磁屏蔽区域；所述电磁屏蔽区域外覆盖电磁屏蔽镀层；其中，所述电磁屏蔽区域的第一表面高于或者低于所述非电磁屏蔽区域的第二表面，且所述电磁屏蔽镀层还包括开窗，所述开窗对应于所述非电磁屏蔽区域。

作为可选的技术方案，所述第二表面远离所述第一表面向所述塑封层内部延伸以使所述非电磁屏蔽区域为形成于所述塑封层内的凹陷；或者，所述第二表面远离所述第一表面向所述塑封层外部延伸以使所述非电磁屏蔽区域为形成于所述塑封层外的凸起。

作为可选的技术方案，所述第二表面到所述第一表面的垂直距离大于等于10μm。

作为可选的技术方案，所述电子元件包括信号发射元件，所述信号发射元件设置于所述非电磁屏蔽区域。

本发明还提供一种镀层结构的制作方法，所述制作方法包括：