[发明专利]一种封装结构及其制备方法

权利要求书

1.一种封装结构，其特征在于，所述封装结构包括：

下部封装体，设置于所述下部封装体上方的上部封装体，以及设置于所述下部封装体和所述上部封装体之间的第一重布线堆叠层，所述第一重布线堆叠层电性连接所述下部封装体和上部封装体；

所述下部封装体包括预制基板和围绕所述预制基板周边的第一塑封层；

其中，所述第一重布线堆叠层的最小线宽/线距小于所述预制基板的最小线宽/线距。

2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述第一重布线堆叠层的最小线宽/线距和所述第二重布线堆叠层的最小线宽/线距分别小于10μm。

3.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述上部封装体包括设置于所述第一重布线堆叠层上方的互联芯片封装层，设置于所述互联芯片封装层上方的第二重布线堆叠层和设置于所述第二重布线堆叠层上方的具有芯片和/或器件封装体的封装层；

所述互联芯片封装层包括多个金属导通柱和第二塑封层，所述第二塑封层于所述第一重布线堆叠层上方塑封所述多个金属导通柱，所述第一重布线堆叠层和所述第二重布线堆叠层通过所述多个金属导通柱电性连接；

其中，所述互联芯片封装层还包括埋设于所述第二塑封层中的互联芯片，所述互联芯片正装键合于所述第一重布线堆叠层上方；且所述互联芯片面对所述第二重布线堆叠层一侧的表面上设置互联重布线堆叠层，所述互联重布线堆叠层的最小线宽/线距小于2μm，且所述互联重布线堆叠层中包括至少一个电容。

4.根据权利要求3所述的封装结构，其特征在于，具有芯片和/或器件封装体的封装层中，所述芯片和/或所述器件封装体倒装键合于所述第二重布线堆叠层上方，并与所述第二重布线堆叠层电性连接；其中，具有芯片和/或器件封装体的封装层还包括第三塑封层，所述第三塑封层于所述第二重布线堆叠层上方塑封所述芯片和/或器件封装体，所述芯片的背面和/或所述器件封装体的背面分别自所述第三塑封层中露出。

5.根据权利要求3所述的封装结构，其特征在于，还包括：至少一个第一硅电容芯片和/或至少一个第二硅电容芯片；

其中，所述至少一个第一硅电容芯片埋设于所述预制基板的第一基材层中，且所述至少一个第一硅电容芯片与所述第一重布线堆叠层直接电性连接；

所述至少一个第二硅电容芯片埋设于所述第二塑封层中，且所述至少一个第二硅电容芯片与所述第一重布线堆叠层或所述第二重布线堆叠层直接电性连接。

6.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述预制基板远离所述第一重布线堆叠层的背侧还包括若干金属凸块或者焊球，所述若干金属凸块或者焊球与所述预制基板内的导电层电性连接。

7.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述下部封装体还包括：

第一预制重布线堆叠层和/或第二预制重布线堆叠层，所述预制基板包括相对的第一表面和第二表面，所述第一预制重布线堆叠层设置于所述第一表面的一侧，所述第二预制重布线堆叠层设置于所述第二表面的一侧；

其中，所述第一塑封层围绕所述第一预制重布线堆叠层和/或所述第二预制重布线堆叠层与所述预制基板构成基板单元的周边设置；所述第一预制重布线堆叠层的线宽/线距和所述第二预制重布线堆叠层的最小线宽/线距分别小于10μm。

8.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，还包括被动元件，所述被动元件埋设于所述第一塑封层中，所述被动元件与所述第一布线层电性连接。

9.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，还包括散热器件，所述散热器件设置于所述第一重布线堆叠层的边缘和/或角落。